HMK316B7105ML-T是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于高效率开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及负载开关等领域。该器件采用先进的半导体制造工艺,具备低导通电阻、快速开关速度和优异的热性能,能够在高温环境下稳定工作。此外,其封装形式专为散热优化设计,适合对可靠性要求较高的工业和汽车应用。
类型:N沟道增强型MOSFET
电压等级:60V
连续漏极电流:48A
导通电阻(Rds(on)):0.75mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
栅极电荷:49nC(典型值)
输入电容:2320pF(典型值)
最大功耗:255W
结温范围:-55℃至+175℃
HMK316B7105ML-T具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻使得传导损耗最小化,从而提高整体效率。
2. 快速开关能力减少了开关损耗,适用于高频应用。
3. 高雪崩能量耐受能力增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
4. 封装设计注重散热性能,有助于降低结温并延长使用寿命。
5. 符合RoHS标准,环保且满足国际法规要求。
6. 可靠性经过严格测试,适用于严苛环境下的工业和汽车级应用。
这款功率MOSFET广泛应用于多个领域,包括但不限于:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. DC-DC转换器的核心功率开关元件。
4. 汽车电子系统中的负载切换和保护功能。
5. 大电流负载开关,用于电池管理系统(BMS)和逆变器等场景。
HMK316B7105ML-H, HMK316B7105ML-S