时间：2025/6/21 3:06:58
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HMK212C7474KGHLE 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，广泛应用于功率转换、电机驱动和电源管理等领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，从而提高了整体系统效率并降低了功耗。
这款 MOSFET 属于 N 沟道类型，适用于需要高效能和高可靠性的电路设计场景。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：120A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷：75nC
开关时间：ton=18ns, toff=30ns
结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
HMK212C7474KGHLE 具有以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少导通损耗，提升系统效率。
2. 高额定电流能力，适合大功率应用环境。
3. 快速开关性能，可有效降低开关损耗。
4. 高可靠性设计，能够在极端温度条件下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且满足全球市场的准入要求。
6. 优异的热性能表现，有助于简化散热设计。
该芯片主要应用于以下领域：
1. 工业设备中的逆变器和变频器驱动。
2. 电动汽车及混合动力汽车的动力控制模块。
3. 高效 DC-DC 转换器与开关电源的设计。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源发电系统。
5. 各类电机驱动控制电路。
6. 大功率 LED 照明驱动解决方案。
HMK212C7474KGHLA, HMK212C7474KGLHE
