时间：2025/12/27 11:22:50
阅读：9
HMK212B7683MGHT是一款由村田制作所（Murata Manufacturing Co., Ltd.）生产的多层陶瓷电容器（MLCC）。该器件属于通用型表面贴装电容器，广泛应用于各类电子设备中，用于电源去耦、信号滤波、噪声抑制以及高频旁路等场景。该型号遵循严格的工业标准，具有高可靠性与稳定性，适用于消费类电子产品、通信设备、工业控制模块及汽车电子等多种应用环境。其设计注重小型化与高性能的平衡，能够在有限的空间内提供稳定的电容性能，同时具备良好的温度特性和耐久性。作为一款X7R介质材料的MLCC，它在-55°C至+125°C的工作温度范围内能够保持电容值变化不超过±15%，适合对温度稳定性有一定要求但无需超高精度的应用场合。此外，该产品采用无铅兼容的端接结构，符合RoHS环保指令要求，支持回流焊工艺，便于自动化贴片生产。整体而言，HMK212B7683MGHT是一款性能可靠、应用广泛的片式陶瓷电容器，适用于现代高密度电路板设计需求。
电容值：68000pF
容差：±20%
额定电压：100V
温度特性：X7R
工作温度范围：-55°C ~ +125°C
封装尺寸：0805（2.0mm x 1.25mm）
介质材料：陶瓷
安装类型：表面贴装（SMD）
高度（最大）：0.9mm
包装形式：卷带（Tape and Reel）
电容单位：皮法（pF）
直流偏压特性：随电压升高电容值略有下降
绝缘电阻：≥1000MΩ 或 C·V ≥ 10000MΩ·pF
使用寿命：在额定电压和最高工作温度下可稳定运行至少1000小时
HMK212B7683MGHT所采用的X7R型陶瓷介质赋予了该电容器优异的温度稳定性，在-55°C至+125°C的宽温范围内，其电容值的变化被严格控制在±15%以内，这一特性使其非常适合用于需要在不同环境温度下保持电路性能一致性的应用场景。相比Z5U或Y5V等高介电常数但温度稳定性较差的介质材料，X7R在电容稳定性与体积效率之间实现了良好平衡。尽管其介电常数低于Class 2中的极端高K材料，但仍足以支持中等容量需求的去耦与滤波功能。该器件的电容标称值为68000pF（即68nF），容差为±20%，这意味着实际电容值可在54400pF至81600pF之间波动，适用于对绝对精度要求不高的场合，例如模拟信号路径中的交流耦合、电源轨的中频去耦或定时电路中的时间常数设定。
该电容器的额定电压为100V DC，表明其可在最高100V的持续直流偏置下安全运行。然而，需注意的是，MLCC的实际有效电容会随着施加电压的增加而降低，尤其是X7R类材料在接近额定电压时可能出现显著的容量衰减。因此，在关键应用中应参考制造商提供的直流偏压曲线以评估真实工作条件下的电容表现。其0805封装尺寸（2.0mm × 1.25mm）是业界广泛应用的标准尺寸之一，既保证了一定的机械强度和焊接可靠性，又满足了紧凑布局的需求。该封装支持自动化贴片工艺，并兼容标准回流焊流程，提升了生产效率和良率。此外，产品采用三层端子结构（Ni/Sn镀层），增强了抗热冲击能力与耐潮湿性，有助于防止因环境应力导致的裂纹或脱焊问题。
在可靠性方面，HMK212B7683MGHT经过严格的质量控制和老化测试，确保在长期使用过程中性能稳定。其绝缘电阻不低于1000MΩ或C·V ≥ 10000MΩ·pF，漏电流极低，适合用于高阻抗电路和精密模拟前端。同时，该器件具备良好的抗振动和抗冲击性能，适用于包括汽车电子在内的严苛工作环境。由于其非极性特性，安装时无需考虑方向，进一步简化了PCB设计与装配流程。综合来看，这款电容器凭借其稳定的电气性能、成熟的制造工艺和广泛的兼容性，成为众多电子系统中不可或缺的基础元件之一。
适用于电源去耦电路，用于数字IC供电引脚的噪声抑制；在模拟信号链中作为滤波元件，实现中频段信号的平滑处理；可用于DC-DC转换器输出端的滤波网络，提升电源纹波抑制能力；适用于工业控制模块中的信号耦合与旁路应用；在消费类电子产品如智能手机、平板电脑和家用电器中用于EMI抑制和电源稳定性提升；也可用于汽车电子控制系统，如车身控制模块（BCM）、车载信息娱乐系统等对温度和可靠性要求较高的场景；此外，还可作为定时电路或振荡回路中的辅助电容元件使用。
GRM21BR71H683KA01L
