时间：2025/7/9 8:38:54
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HMK212B7103KGHT是一款由Hitachi生产的高性能功率MOSFET芯片，主要用于开关电源、电机驱动、逆变器等应用领域。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能。
此芯片广泛适用于需要高效能量转换的工业设备及消费类电子产品中，能够显著提高系统的效率并降低能耗。
型号：HMK212B7103KGHT
类型：N-Channel MOSFET
VDS（漏源极电压）：60V
RDS(on)（导通电阻）：4.5mΩ
ID（持续漏极电流）：98A
Qg（栅极电荷）：25nC
EAS（雪崩能量）：3.0J
封装形式：TO-247-3
工作温度范围：-55℃ to +175℃
HMK212B7103KGHT拥有卓越的电气性能和可靠性：
1. 极低的导通电阻RDS(on)，有效减少了导通损耗，从而提升了系统效率。
2. 高额定电流能力，支持大功率应用需求。
3. 出色的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的性能表现。
4. 快速开关特性，有助于减少开关损耗，提升整体工作效率。
5. 强大的抗雪崩能力，增加了器件在异常情况下的耐受性。
6. 符合RoHS标准，绿色环保设计，满足国际环保要求。
HMK212B7103KGHT因其优异的性能而适用于多种电力电子应用场景：
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关管。
2. 工业电机驱动中的功率级控制元件。
3. 不间断电源(UPS)系统中的逆变器组件。
4. 电动工具和家用电器中的直流无刷电机驱动。
5. 新能源领域如太阳能逆变器和电动汽车充电桩的核心功率转换部件。
HMK212B7105KGHT, IRFP2907ZPBF, FDP18N65C3
