时间：2025/6/20 18:57:00
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HMK107B7472KAHT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，广泛应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等场景。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和高开关速度的特点，从而显著提升系统效率和性能。
这款芯片主要针对需要高效能和高可靠性的应用设计，能够满足严格的工业标准和规范。
类型：N沟道 MOSFET
工作电压：650V
连续漏极电流：7.5A
导通电阻：0.13Ω
栅极电荷：16nC
开关时间：开态 80ns / 关态 45ns
封装形式：TO-220
HMK107B7472KAHT 的主要特性包括：
1. 高击穿电压，确保在高压环境下稳定运行。
2. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少功率损耗并提高整体效率。
3. 快速的开关速度，使得其适用于高频开关应用。
4. 具备优异的热稳定性，能够在高温条件下保持良好的性能。
5. 内置过流保护功能，增强系统的安全性和可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
HMK107B7472KAHT 广泛用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）设计，例如适配器和充电器。
2. 工业电机驱动和控制电路。
3. DC-DC 转换器中的功率开关元件。
4. 各种逆变器和不间断电源（UPS）系统。
5. 汽车电子中涉及高压切换的应用。
6. 可再生能源设备如太阳能逆变器中的功率管理模块。
HMK107B7472KALT, IRF840, STP75NF7
