HMK107B7152KA-T是一款高性能的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),适用于高频率开关和功率转换应用。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、快速开关速度和优异的热性能。
这种MOSFET广泛用于直流-直流转换器、开关电源、电机驱动和其他需要高效功率管理的电子设备中。其封装形式为TO-263(D2PAK),适合表面贴装技术(SMT),能够有效提升系统的可靠性和散热能力。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压Vds:70V
最大栅源电压Vgs:±20V
连续漏极电流Id:43A
导通电阻Rds(on):3.8mΩ(典型值,在Vgs=10V时)
总功耗Ptot:188W
工作温度范围Tj:-55℃至+175℃
封装:TO-263(D2PAK)
1. 极低的导通电阻Rds(on),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 快速开关速度,可实现高频操作,从而减小外部元件尺寸。
3. 高电流承载能力,支持大功率应用。
4. 优秀的热稳定性,能够在高温环境下长期稳定运行。
5. 封装采用无铅设计,符合环保要求,并且具备良好的电气隔离性能。
6. 内置ESD保护电路,增强了器件的抗静电能力。
1. 开关模式电源(SMPS)中的功率开关。
2. 直流-直流转换器的核心功率元件。
3. 各类电机驱动电路中的功率输出级。
4. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
5. 太阳能逆变器和其他新能源相关产品中的功率处理模块。
6. 工业自动化设备中的功率控制单元。
IRF7729PbF, FDP057N06L, Si7864DP