HMK107B7103KA-T 是一款高性能的功率MOSFET芯片,广泛应用于电源管理、电机驱动和开关电源等场景。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和高开关速度的特点,能够显著提高系统效率并降低能耗。
这款芯片属于N沟道增强型MOSFET,适用于中高压应用场景,其出色的热性能和可靠性使其成为工业级和消费级电子产品的理想选择。
最大漏源电压:700V
连续漏极电流:7.5A
导通电阻(典型值):0.18Ω
栅极电荷:25nC
开关时间:ton=40ns,toff=60ns
工作结温范围:-55℃至+150℃
HMK107B7103KA-T 的主要特性包括:
1. 高耐压能力,支持高达700V的工作电压,适合多种高压应用环境。
2. 极低的导通电阻,在大电流条件下能有效减少功耗。
3. 快速开关性能,具有较短的开通和关断时间,有助于提高系统效率。
4. 优异的热稳定性,能够在极端温度范围内可靠运行。
5. 小尺寸封装设计,便于在紧凑型电路板上布局。
6. 符合RoHS标准,环保且无铅设计,满足全球法规要求。
HMK107B7103KA-T 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS),如适配器、充电器等。
2. 工业电机驱动与控制。
3. LED照明驱动电路。
4. 汽车电子中的直流电机控制。
5. 逆变器和不间断电源(UPS)。
6. 各类电力转换模块和保护电路。
由于其高压特性和高效性能,该芯片特别适合需要高稳定性和低功耗的应用场景。
HMK107B7103HA-T, IRF840, STP75NF70