时间：2025/7/10 20:29:48
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HMK105CG680JV-F 是一款高性能的 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于功率半导体器件。该型号采用先进的制造工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热稳定性等特性，适用于多种工业和消费类应用中的高效电源管理。
该芯片通常用于直流-直流转换器、电机驱动、负载开关和其他需要高效率和可靠性的电路设计中。
类型：MOSFET
封装：TO-263
最大漏源电压(Vds)：60V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：56A
导通电阻(Rds(on))：1.5mΩ
总功耗(Ptot)：140W
工作温度范围：-55℃ to 150℃
HMK105CG680JV-F 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可有效降低传导损耗，提高整体系统效率。
2. 快速开关性能，适合高频操作环境，减少开关损耗。
3. 高电流处理能力使其能够承受较大的负载电流。
4. 优化的热阻设计，有助于提升散热性能，确保在高温环境下稳定运行。
5. 强大的抗静电能力 (ESD)，增强了器件的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
这款 MOSFET 广泛应用于各种电力电子领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 DC-DC 转换器。
2. 电池管理系统 (BMS) 中的充放电控制。
3. 汽车电子中的电机驱动与负载切换。
4. 工业自动化设备中的功率转换和控制。
5. 家用电器及消费电子产品中的高效能源管理。
其优异的电气特性和机械性能使其成为众多高功率密度应用的理想选择。
HMK105CG680JW-F, HMK105CG680JX-F
