时间：2025/6/22 14:26:39
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HMK105B7471MVHFE是一款高性能的功率MOSFET芯片，广泛应用于电源管理、电机驱动以及各种需要高效率和低功耗的电子系统中。该器件采用了先进的制造工艺，确保其具备卓越的电气性能和可靠性。
这款MOSFET属于N沟道增强型，具有较低的导通电阻和快速开关特性，非常适合于高频开关应用。此外，它还具备出色的热稳定性和抗浪涌能力，能够在严苛的工作环境下保持稳定的性能。
型号：HMK105B7471MVHFE
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压(Vds)：700V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：5A
导通电阻(Rds(on))：350mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
总功耗(Ptot)：15W
结温范围(Tj)：-55℃至+150℃
封装形式：TO-220
1. 极低的导通电阻，可有效降低功率损耗。
2. 快速开关特性，适用于高频电路设计。
3. 高击穿电压和大电流承载能力，适合多种工业应用。
4. 内置ESD保护功能，增强了芯片的鲁棒性。
5. 良好的热性能，能够承受较高的工作温度。
6. 符合RoHS标准，环保且满足国际法规要求。
7. 具备优秀的抗雪崩能力和短路耐受时间，提升了系统的整体稳定性。
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管。
2. DC-DC转换器及逆变器中的功率开关。
3. 电机驱动电路中的功率级元件。
4. 各种工业控制设备中的功率输出级。
5. LED驱动器和负载切换电路。
6. 电池保护电路及过流保护模块。
7. 通信电源和不间断电源(UPS)中的关键组件。
HMK105B7471MVFHE, IRF840, STP75NF7
