时间：2025/6/20 18:55:26
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HMJ325B7473KNHT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，专为高效率开关应用设计。该器件采用先进的制造工艺，在导通电阻、开关速度和热性能方面表现出色，广泛应用于电源管理、电机驱动和其他需要高效功率转换的场景。
HMJ325B7473KNHT 的封装形式为 TO-247，适合高电流和高散热需求的应用场合。其优异的电气特性和可靠性使其成为工业和消费电子领域的理想选择。
最大漏源电压：700V
连续漏极电流：25A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：120nC
开关速度：快速
功耗：250W
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
1. 高击穿电压：HMJ325B7473KNHT 提供高达 700V 的漏源电压，确保在高压环境下稳定运行。
2. 低导通电阻：0.18Ω 的导通电阻显著降低了功率损耗，提升了整体效率。
3. 快速开关能力：由于优化的栅极电荷设计，开关时间更短，适用于高频应用。
4. 强大的散热性能：TO-247 封装具有良好的热传导特性，支持高功率输出。
5. 宽温工作范围：能够在 -55℃ 至 +175℃ 的极端温度范围内可靠运行。
6. 高可靠性：经过严格的质量测试，满足严苛工业标准的要求。
1. 开关电源 (SMPS)：包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 电机驱动：用于控制直流无刷电机 (BLDC) 和步进电机。
3. 工业自动化：如变频器、伺服驱动和可编程逻辑控制器 (PLC)。
4. 太阳能逆变器：实现高效的能量转换与传输。
5. 电动车充电系统：提供快速充电和稳定的电力管理。
6. 照明设备：如 LED 驱动和高强度放电灯 (HID) 控制电路。
IRFP260N
FDP17N70
STP25NF70
