时间：2025/6/27 2:13:53
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HMJ325B7223MNHT 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于高效率开关电源、DC-DC 转换器以及电机驱动等领域。该芯片采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著提高系统的整体效率并降低热损耗。
HMJ325B7223MNHT 的设计优化了栅极电荷和输出电容参数，使其在高频应用中表现出色。同时，该器件具备强大的过流保护功能和较高的雪崩能量能力，能够在恶劣的工作环境下保持稳定运行。
类型：N沟道 MOSFET
电压（Vds）：700 V
电流（Id）：25 A
导通Ω
栅极电荷（Qg）：45 nC
输入电容（Ciss）：1580 pF
反向恢复时间（trr）：65 ns
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
1. 低导通电阻：该器件的导通电阻仅为 180 mΩ，在高电流应用中可以有效减少功耗。
2. 高耐压能力：额定耐压为 700 V，适用于高压场景下的电力转换。
3. 快速开关性能：极低的栅极电荷和反向恢复时间，使其非常适合高频开关应用。
4. 强大的雪崩能力：能够承受较大的瞬态能量冲击，提升了系统可靠性。
5. 广泛的工作温度范围：从 -55°C 到 +175°C，确保其在极端环境中的稳定运行。
6. 小型封装：有助于节省 PCB 空间，适合紧凑型设计需求。
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