时间：2025/6/18 11:41:38
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HMJ212BB7104MGHT是一种高性能的双极性晶体管（Bipolar Junction Transistor, BJT），专为高频和高功率应用设计。该器件采用先进的硅锗（SiGe）技术制造，具有出色的增益、低噪声特性和高截止频率。它适用于射频（RF）放大器、混频器和其他需要高线性度和效率的通信系统组件中。
由于其优异的电气性能和稳定性，HMJ212BB7104MGHT被广泛应用于无线基础设施设备、雷达系统以及航空航天领域。
集电极-发射极击穿电压：65V
集电极最大电流：1.5A
直流电流增益（hFE）：200
特征频率（fT）：22GHz
热阻（Rth）：8 K/W
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：TO-252（DPAK）
1. 高增益和宽频带响应使其适合于高频应用。
2. 具有较低的噪声系数，能够在通信系统中实现更清晰的信号传输。
3. 耐受较高的工作电压和电流，增强了器件的可靠性。
4. 封装紧凑，便于在空间受限的设计中使用。
5. 出色的热管理能力，确保长时间运行时的稳定性和高效散热。
6. 可靠性经过严格测试，适用于苛刻的工作环境。
1. 射频功率放大器设计中的关键元件。
2. 在基站、卫星通信等无线基础设施中用作驱动级或末级放大器。
3. 雷达收发模块中的核心部件。
4. 航空电子设备中的信号处理单元。
5. 医疗成像设备中的高频信号增强组件。
6. 高速数据转换器和滤波电路中的缓冲器或驱动器。
HMJ212BB7104MGHTR
HMC996ALC3B
BFP740W
MGA-85223
