时间：2025/7/3 9:17:14
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HMF325B7473KNHT 是一款由罗姆（ROHM）半导体制造的功率 MOSFET 芯片，采用 N 沟道增强型设计。该芯片适用于高频开关电源、DC-DC 转换器和电机驱动等应用领域。其低导通电阻和高效率的特点使其成为高效能功率转换的理想选择。
这款器件通过优化的沟槽式结构实现了保持了良好的开关性能，适合在紧凑型设计中使用。此外，HMF325B7473KNHT 还具有出色的热稳定性和可靠性，能够在严苛的工作条件下长时间运行。
型号：HMF325B7473KNHT
类型：N 沟道功率 MOSFET
封装：TO-263 (D2PAK)
VDS（漏源极击穿电压）：700V
RDS(on)（导通电阻，典型值）：1.9Ω
ID（连续漏极电流）：32A
Qg（栅极电荷）：50nC
fT（特征频率）：2.5MHz
功耗：230W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
1. 高电压耐受能力：HMF325B7473KNHT 的 VDS 达到 700V，能够满足高压应用场景的需求。
2. 低导通电阻：在典型条件下，其 RDS(on) 仅为 1.9Ω，可显著降低传导损耗。
3. 快速开关性能：由于较低的栅极电荷（Qg），该器件具备快速的开关速度，减少开关损耗。
4. 热稳定性强：通过优化的封装设计和材料选择，确保在高温环境下依然可靠运行。
5. 小尺寸高功率：尽管采用 TO-263 封装，但其功率处理能力达到 230W，非常适合紧凑型设计需求。
6. 宽温范围支持：工作温度范围从 -55°C 到 +175°C，适应各种恶劣环境。
HMF325B7473KNHT 主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电机驱动与控制
4. 太阳能逆变器
5. 工业自动化设备
6. 电动工具及家电驱动
7. 不间断电源（UPS）系统
8. 电动车充电装置
HMF325B7473KNL, HMF325B7473KNG
