时间：2025/12/25 21:24:16
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HMC900LP5ETR是一款由Analog Devices（亚德诺半导体，收购了Hittite Microwave）推出的高性能、低相位噪声、双平衡有源倍频器芯片。该器件专为微波和毫米波应用设计，能够将输入的射频（RF）信号频率精确地加倍，同时保持优异的相位噪声性能和输出功率稳定性。HMC900LP5ETR采用先进的GaAs工艺制造，具有宽工作频带、高转换增益、低谐波失真以及出色的温度稳定性等特点，适用于对信号纯净度要求极高的通信系统、测试测量设备、雷达系统以及卫星通信等高端应用场景。
HMC900LP5ETR封装在无引线5mm x 5mm的表面贴装（SMT）陶瓷封装中，便于集成到高密度PCB布局中，并提供良好的热管理和高频性能。该器件无需外部偏置电路，内部集成了所有必要的偏置和匹配网络，简化了设计流程，降低了系统复杂性。其工作温度范围通常为-40°C至+85°C，适合工业级和部分军用环境下的可靠运行。
制造商：Analog Devices Inc./Hittite
产品系列：HMC900
类型：有源倍频器
拓扑结构：双平衡
倍频次数：x2（二倍频）
输入频率范围：11 GHz 至 16 GHz
输出频率范围：22 GHz 至 32 GHz
输入功率范围（P_in）：+10 dBm 至 +17 dBm
输出功率（P_out）：典型值约 +15 dBm
转换增益：典型值 +4 dB
输入回波损耗：>15 dB
输出回波损耗：>15 dB
相位噪声贡献（相对输入）：< 6 dB 增加（在100 kHz偏移处）
供电电压：+5V
供电电流：典型值 120 mA
功耗：约 600 mW
封装类型：5mm x 5mm LPCC（LFCSP）
引脚数：24
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
HMC900LP5ETR具备卓越的射频性能和高度集成化的设计，使其成为高端微波系统中的理想选择。其核心特性之一是低相位噪声表现，在进行频率倍增的过程中仅引入极小的相位噪声劣化，这对于高精度雷达、相干通信链路以及高分辨率测试仪器至关重要。由于采用了双平衡拓扑结构，该器件对外部端口具有良好的隔离性能，显著抑制了输入信号中的偶次谐波和本振泄露，提升了整体系统的信号完整性。
该倍频器在11–16 GHz的宽输入频带内表现出平坦的增益响应，确保在整个操作范围内输出信号的稳定性和一致性。同时，它能在+10 dBm至+17 dBm的输入功率范围内高效工作，适应多种驱动源条件。得益于内部集成的直流偏置网络和输入/输出匹配电路，用户无需额外设计复杂的外围匹配元件，极大简化了射频布局并缩短了开发周期。
HMC900LP5ETR还展现出优秀的谐波抑制能力，尤其是对三阶及以上非线性产物的有效抑制，保证了输出频谱的纯净度。此外，其采用的陶瓷封装不仅提供了优异的散热性能，还在高频下保持了良好的电气稳定性，减少了寄生效应的影响。器件支持单电源+5V供电，兼容大多数射频子系统的电源架构，降低了系统集成难度。综合来看，HMC900LP5ETR在性能、可靠性和易用性之间实现了出色平衡，适用于对尺寸、功耗和性能均有严苛要求的应用场景。
HMC900LP5ETR广泛应用于需要高质量频率合成的高端射频与微波系统中。在点对点和点对多点无线回传系统中，它被用于生成E-band（如24–30 GHz）或更高频段的本振信号，以支持高速数据传输。在测试与测量设备中，例如矢量网络分析仪或信号发生器，该器件可用于构建低噪声、高稳定性的频率扩展模块，提升仪器在毫米波频段的测量精度。
在雷达系统特别是相控阵雷达和毫米波成像雷达中，HMC900LP5ETR用于上变频链路中，将中频或低频参考信号倍频至K波段或Ka波段，从而实现高分辨率目标探测。其低相位噪声特性有助于提高雷达的距离和速度分辨能力。在卫星通信地面站和星载有效载荷中，该器件可用于构建高效率的上行链路发射机，满足对频谱纯度和长期稳定性的严格要求。
此外，HMC900LP5ETR也可用于科研领域的太赫兹系统前端，作为多级倍频链中的关键环节，逐步将较低频率的基准信号提升至数百GHz频段。其紧凑的封装形式也使其适用于空间受限的便携式或移动式毫米波设备，如无人机通信链路或车载雷达系统。总之，凡是需要在22–32 GHz频段内获得高纯度、高功率输出信号的场合，HMC900LP5ETR都是一个极具竞争力的技术解决方案。
HMC901LP5E
