时间：2025/6/30 9:23:20
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HMC860LP3E是一款由Analog Devices公司生产的宽带GaAs pHEMT MMIC低噪声放大器（LNA）。该器件采用紧凑型3x3 mm SMT封装设计，适合于高频率无线通信系统和测试设备中使用。HMC860LP3E的工作频率范围为1至20 GHz，在整个频段内具有出色的增益、低噪声系数和高线性度性能。
这款放大器集成了一个内部匹配网络，能够在宽频率范围内实现稳定的增益和平坦的响应。此外，其偏置简单，仅需单一正电源供电，方便在各种应用环境中集成。
工作频率范围：1 GHz 至 20 GHz
增益：15 dB（典型值）
噪声系数：2.0 dB（典型值）
输出1 dB压缩点：+17 dBm（典型值）
输入回波损耗：12 dB（典型值）
输出回波损耗：10 dB（典型值）
电源电压：+4 V
静态电流：65 mA
封装类型：3x3 mm LFCSP
HMC860LP3E具备非常宽的工作频率范围，覆盖了从微波到毫米波的应用场景。它的低噪声系数和高增益特性使其非常适合用作接收机前端的低噪声放大器。此外，该芯片还具有高线性度，可以支持大动态范围信号的处理。由于采用了先进的GaAs pHEMT工艺技术，HMC860LP3E能够以较低的功耗提供卓越的射频性能。
该器件内置了输入和输出匹配网络，简化了外部电路设计，同时增强了稳定性与可靠性。再加上其小尺寸SMT封装形式，这使得HMC860LP3E成为需要高性能和小型化解决方案的理想选择。
HMC860LP3E广泛应用于多种高频领域，包括但不限于：
1. 点对点和点对多点无线电通信系统
2. 卫星通信地面站设备
3. 高速数据链路收发模块
4. 测试与测量仪器中的信号增强
5. 军事雷达及电子对抗系统
6. 微波回传网络节点
7. 医疗成像和其他专业成像技术
其宽带宽和高性能特点确保了它可以在上述各类复杂环境中稳定运行，并满足严格的性能指标要求。
HMC925ALP3E,HMC915LP3E
