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HMC849ALP4CETR 发布时间 时间:2025/4/22 10:37:36 查看 阅读:30

HMC849ALP4CETR 是一款高性能的砷化镓 (GaAs) 假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT),由 Analog Devices(现为ADI)生产。该器件采用塑料无引线芯片载体 (PLCC) 封装,适合表面贴装技术 (SMT)。HMC849ALP4CETR 的设计目标是为射频和微波应用提供高增益、低噪声和宽带宽性能。
  HMC840 系列中的这款具体型号适用于高达 40GHz 的频率范围,并且能够支持多种通信系统、测试设备和雷达系统的射频信号放大需求。

参数

封装:PLCC-4
  工作频率范围:DC 至 40 GHz
  增益:12 dB 典型值
  噪声系数:小于 1.5 dB
  输出功率(1 dB 压缩点):大于 +20 dBm
  电源电压:+3.3V 或 +5V
  静态电流:典型值为 65mA
  最大输入/输出匹配阻抗:50 欧姆
  工作温度范围:-55°C 至 +105°C

特性

提供了出色的射频性能,具有高增益和低噪声特点,同时其宽带宽使其非常适合于多频段操作。它在高频条件下仍能保持稳定的工作状态,并且易于与标准 50 欧姆系统集成。
  由于其采用 pHEMT 技术,该芯片在高频段表现出极低的噪声水平,这对于需要高灵敏度接收的应用非常重要。此外,它支持较低的供电电压,从而降低了功耗并简化了电源设计。
  此款器件还具备优良的散热性能,能够在较高温度环境下持续运行而不会显著影响其电气特性。

应用

- 军用及民用雷达系统
  - 卫星通信终端
  - 微波点对点链路
  - 高速数据转换器驱动器
  - 测试测量仪器
  - 5G 和其他无线通信基础设施
  它的高频能力和低噪声优势使得它成为许多高性能系统的理想选择。

替代型号

HMC849ALP4E

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HMC849ALP4CETR参数

  • 现有数量241现货
  • 价格1 : ¥80.06000剪切带(CT)500 : ¥52.12354卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 射频类型通用
  • 拓扑-
  • 电路SPDT
  • 频率范围0Hz ~ 6GHz
  • 隔离56dB
  • 插损1dB
  • 测试频率4GHz
  • P1dB33dBm
  • IIP352dBm
  • 特性-
  • 阻抗50 欧姆
  • 电压 - 供电3V ~ 5V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳16-VQFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装16-QFN(4x4)