时间：2025/4/22 10:37:36
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HMC849ALP4CETR 是一款高性能的砷化镓 (GaAs) 假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT)，由 Analog Devices（现为ADI）生产。该器件采用塑料无引线芯片载体 (PLCC) 封装，适合表面贴装技术 (SMT)。HMC849ALP4CETR 的设计目标是为射频和微波应用提供高增益、低噪声和宽带宽性能。
HMC840 系列中的这款具体型号适用于高达 40GHz 的频率范围，并且能够支持多种通信系统、测试设备和雷达系统的射频信号放大需求。
封装：PLCC-4
工作频率范围：DC 至 40 GHz
增益：12 dB 典型值
噪声系数：小于 1.5 dB
输出功率（1 dB 压缩点）：大于 +20 dBm
电源电压：+3.3V 或 +5V
静态电流：典型值为 65mA
最大输入/输出匹配阻抗：50 欧姆
工作温度范围：-55°C 至 +105°C
提供了出色的射频性能，具有高增益和低噪声特点，同时其宽带宽使其非常适合于多频段操作。它在高频条件下仍能保持稳定的工作状态，并且易于与标准 50 欧姆系统集成。
由于其采用 pHEMT 技术，该芯片在高频段表现出极低的噪声水平，这对于需要高灵敏度接收的应用非常重要。此外，它支持较低的供电电压，从而降低了功耗并简化了电源设计。
此款器件还具备优良的散热性能，能够在较高温度环境下持续运行而不会显著影响其电气特性。
- 军用及民用雷达系统
- 卫星通信终端
- 微波点对点链路
- 高速数据转换器驱动器
- 测试测量仪器
- 5G 和其他无线通信基础设施
它的高频能力和低噪声优势使得它成为许多高性能系统的理想选择。
HMC849ALP4E
