类型：集成VCO和PLL频率合成器
　　工作频率范围：4.2 GHz 至 8.35 GHz
　　VCO输出频率范围：4.2 - 8.35 GHz
　　分频后输出频率：可降至2.1 - 4.175 GHz（÷2）、1.05 - 2.0875 GHz（÷4）等
　　参考输入频率：最高可达400 MHz
　　相位噪声典型值：-105 dBc/Hz @ 10 kHz偏移（8 GHz）
　　鉴相器频率：最高可达200 MHz（小数-N模式）
　　分辨率：小数部分可达29位精度
　　锁定时间：典型值小于100 μs
　　输出功率：+2 dBm 至 +5 dBm（典型值）
　　电源电压：3.3 V 和 5.0 V 双电源供电
　　电流消耗：VCO核心约75 mA，PLL模块约45 mA
　　封装类型：24引脚 LFCSP（6 mm × 6 mm）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

HMC835LP6GE的核心优势在于其高度集成的小数-N频率合成架构与宽带VCO的结合，显著减少了外部元件数量并提升了系统可靠性。其内置的VCO无需外接变容二极管即可实现全频段覆盖，极大简化了电路设计复杂度。该芯片采用高分辨率Δ-Σ调制器，支持高达29位的小数分频精度，允许生成极其精细的频率步进（如1 Hz级别），满足高精度频率调节的应用需求。此外，它具备自动校准功能，在启动或频率切换时能快速完成VCO频段选择，确保在整个工作范围内保持最佳相位噪声和输出功率一致性。
　　在性能方面，HMC835LP6GE表现出优异的相位噪声特性，典型值在8 GHz载波下10 kHz频偏处达到-105 dBc/Hz，适用于对信号纯净度要求严苛的场景。其鉴相器工作频率最高可达200 MHz，有助于提高环路带宽，缩短锁定时间，实测锁定时间通常低于100微秒，适合需要频繁跳频的雷达或通信系统。芯片内部集成了可编程电荷泵电流、多个分频选项（包括÷1、÷2、÷4、÷8等）、以及灵活的输出缓冲器配置，支持单端或差分输出模式，增强了系统的适配能力。
　　数字控制接口采用三线或四线SPI兼容协议，便于与FPGA、DSP或微控制器连接，所有内部寄存器均可通过串行接口访问和修改。同时，该器件提供丰富的状态监控功能，例如锁定检测（LD）输出引脚可用于指示PLL是否已稳定锁定，便于系统进行实时反馈控制。为了优化功耗，HMC835LP6GE支持多种省电模式，可以在待机状态下关闭VCO或电荷泵以降低静态电流。整体而言，这款芯片在集成度、性能指标和易用性之间取得了良好平衡，是高端射频系统中理想的本振解决方案之一。

HMC835LP6GE广泛应用于高性能射频和微波系统中，尤其适合作为本地振荡器（LO）用于直接上变频或下变频架构。其主要应用场景包括点对点和点对多点微波回传系统，这类系统通常运行在6 GHz至8 GHz频段，要求本振具有低相位噪声和快速跳频能力，而HMC835LP6GE恰好满足这些条件。在测试与测量仪器领域，如频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪中，该芯片可用于构建高稳定性频率源，提供精确且可重复的频率输出。
　　在军事和航空航天电子系统中，HMC835LP6GE被用于雷达前端、电子战（EW）系统和安全通信设备，得益于其宽频带覆盖能力和抗干扰特性。此外，该器件也适用于宽带无线接入系统，例如WLAN扩展频段设备或5G前传链路中的毫米波辅助本振生成。由于其支持小数-N合成技术，能够实现极细的频率分辨率，因此在需要信道间隔非常紧密的通信标准（如E-band或V-band系统）中表现尤为突出。
　　科研实验平台和高速数据采集系统也会采用HMC835LP6GE作为主时钟源或采样时钟恢复单元。其差分输出结构有利于抑制共模噪声，提升信号完整性，特别适合驱动高速ADC或DAC。另外，在相控阵天线系统中，多个HMC835LP6GE可以协同工作，通过同步参考时钟和SPI配置实现多通道相位一致性控制，从而支持波束成形算法的实现。总之，凡是需要高质量、可编程微波频率源的场合，HMC835LP6GE都是一个极具竞争力的选择。

HMC836LP6GE
　　HMC1095LP5E
　　LMX2594
　　MAX2871