时间：2025/11/4 22:00:44
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HMC751LC4TR是一款由Analog Devices, Inc.（亚德诺半导体）推出的高性能、低噪声、固定增益放大器，专为微波和射频应用设计。该器件采用砷化镓（GaAs）假晶高电子迁移率晶体管（pHEMT）工艺制造，具有出色的线性度和稳定性，适用于需要在高频段下实现可靠信号放大的场景。HMC751LC4TR工作频率范围覆盖10 MHz至6 GHz，可广泛应用于无线通信基础设施、点对点微波链路、测试与测量设备以及国防电子系统中。该芯片封装于紧凑的SOT-1158（也称LFCSP-16）小型化封装中，具备良好的热性能和机械稳定性，适合高密度PCB布局。其内部集成了匹配网络，减少了外部元件需求，简化了射频电路设计流程。此外，该放大器提供固定的20 dB增益，输入和输出端口均针对50欧姆系统进行了优化，确保与常见射频系统的良好接口兼容性。HMC751LC4TR支持单电源供电，典型工作电压为+5V，静态电流约为130mA，兼具高性能与适度功耗表现，是宽带射频链路中驱动级或中间放大级的理想选择。
制造商：Analog Devices Inc.
系列：HMC
零件状态：活跃
频率范围：10MHz ~ 6GHz
增益：20dB
增益平坦度：±0.5dB
噪声系数：2.5dB
P1dB输出功率：+19dBm
OIP3（三阶交调截点）：+32dBm
工作电压：+5V
静态电流：130mA
封装：16-LFCSP（3x3）
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
接口类型：直流耦合
阻抗：50 Ohms
HMC751LC4TR具备卓越的宽带放大性能，能够在10 MHz至6 GHz的宽频率范围内保持稳定的20 dB标称增益，并且在整个频带内增益波动控制在±0.5 dB以内，确保信号在不同频率下的均匀放大效果。这种高度一致的增益响应使其非常适合用于多载波通信系统和宽带接收机前端，有效避免因增益起伏导致的信号失真问题。
该器件采用GaAs pHEMT工艺，不仅实现了低至2.5 dB的噪声系数，还具备高达+32 dBm的输出三阶交调截点（OIP3），表明其在处理高电平信号时仍能维持优异的线性性能，减少互调干扰，提升系统整体动态范围。同时，其+19 dBm的1 dB压缩输出功率足以驱动后续混频器或ADC，在射频链路中作为缓冲或驱动级表现出色。
HMC751LC4TR集成输入与输出匹配网络，显著降低了对外部匹配元件的需求，从而简化了PCB设计并节省布板空间。其50欧姆输入/输出阻抗设计便于直接连接标准射频传输线和组件，无需额外进行复杂的阻抗变换设计。
该放大器采用+5V单电源供电，静态电流仅为130mA，兼顾高性能与功耗效率，适用于对热管理有要求的应用环境。工作温度范围为-40°C至+85°C，满足工业级环境运行需求，可在恶劣气候条件下稳定工作。封装形式为16引脚LFCSP（3mm × 3mm），具有优良的散热性能和高频寄生参数控制能力，有助于提高长期可靠性。
HMC751LC4TR广泛应用于多种高频电子系统中，尤其适合作为通信基站中的中频或射频放大器使用，能够增强微弱信号以供后续处理。在点对点和点对多点微波回传系统中，它可用于本地振荡器（LO）信号缓冲或天线端口的前置放大，提升链路灵敏度和传输距离。由于其宽带特性，该器件也被大量用于通用测试与测量仪器，如频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪模块中，作为内部信号路径的增益单元，保障测试精度和系统动态范围。
在军用雷达、电子战（EW）和信号情报（SIGINT）系统中，HMC751LC4TR凭借其高线性度和宽频带响应，可用于宽频带接收机前端，支持复杂电磁环境下的信号捕获与分析。此外，该芯片还可用于卫星通信终端、毫米波前端模块以及高速数据链系统中，作为关键的模拟信号放大环节。其紧凑的封装形式也使其适用于空间受限的便携式或移动式设备平台。
HMC750LC4TR
HMC1040LP5E
ADL5523
