HMC738LP4E是一款由Analog Devices公司生产的宽带GaAs MMIC低噪声放大器(LNA)。该芯片采用+4V电源供电,具有高增益、低噪声系数和良好的线性度等特性。其工作频率范围为10至2000 MHz,适用于无线通信系统、测试设备以及其他射频应用中的信号放大需求。
这款器件采用了先进的假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)技术制造,能够提供卓越的射频性能,并且具有出色的输入输出匹配特性。HMC738LP4E以裸片形式提供,适合紧凑型设计要求。
频率范围:10 MHz 至 2000 MHz
增益:16.5 dB
噪声系数:1.1 dB
P1dB输出功率:+22.5 dBm
最大输出IP3:+39.5 dBm
VSWR输入/输出:2.0:1
电源电压:+4 V
静态电流:85 mA
HMC738LP4E的主要特性包括:
1. 工作频率范围广,覆盖从10 MHz到2000 MHz的带宽。
2. 高增益,典型值为16.5 dB,能够在接收链路中有效提升信号强度。
3. 低噪声系数,仅为1.1 dB,确保接收到的微弱信号不会被额外的噪声淹没。
4. 强大的线性度表现,P1dB输出功率达到+22.5 dBm,最大输出IP3为+39.5 dBm,满足高动态范围的应用需求。
5. 输入和输出回波损耗均小于2.0:1,实现良好的阻抗匹配。
6. 单电源供电,简化了电路设计和电源管理。
7. 小尺寸封装,适合对空间有严格限制的设计场景。
HMC738LP4E适用于多种射频和微波应用领域,例如:
1. 无线通信基础设施,如基站接收机前端。
2. 测试与测量设备,用于需要高精度信号放大的场合。
3. 公共安全和军事无线电系统,保证在恶劣环境下的可靠通信。
4. 车载雷达和其他传感器系统,提供清晰的目标探测能力。
5. 广播和卫星通信系统,增强信号传输质量。
6. 医疗成像和工业自动化等领域,支持复杂的射频处理任务。
HMC737LP4E