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HMC7357LP5GE 发布时间 时间:2025/12/25 21:00:50 查看 阅读:13

HMC7357LP5GE是一款由Analog Devices(ADI)公司生产的高性能射频放大器芯片,属于其广泛使用的HMC系列中的低相位噪声、高增益、宽带射频放大器产品线。该器件专为需要极低附加相位噪声和优异信号保真度的高性能通信系统而设计,适用于微波无线电、测试与测量设备、雷达系统以及高端仪器仪表等应用场景。HMC7357LP5GE采用先进的GaAs(砷化镓)工艺制造,具有出色的线性度和稳定性,在宽频率范围内提供一致的增益响应。该芯片封装于紧凑型5mm × 5mm LFCSP(引脚架构芯片级封装),便于在高密度PCB布局中使用,并具备良好的热性能和电气性能。其内部集成匹配网络,减少了外部元件数量,简化了设计流程并提高了系统的可靠性。此外,HMC7357LP5GE工作电压通常为单电源供电模式,典型值为+5V,适合多种系统集成需求。由于其卓越的相位噪声性能,它常被用于本振(LO)信号路径中的缓冲或驱动级放大,确保本地振荡器信号在分发过程中保持高质量。
  这款放大器在设计上优化了输入输出阻抗匹配,通常以50Ω系统环境运行,支持从数百MHz到超过10GHz的宽频带操作范围。HMC7357LP5GE还具备良好的回波损耗特性,有助于减少反射和干扰,提升整体系统信噪比。作为一款成熟且经过验证的器件,它在工业、军事和航空航天领域均有广泛应用。ADI通过持续的技术支持和完整的数据手册资料,帮助工程师快速完成评估和原型开发。

参数

型号:HMC7357LP5GE
  制造商:Analog Devices
  工艺技术:GaAs
  封装类型:5mm × 5mm LFCSP
  供电电压:+5V(典型)
  静态电流:约120mA
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  增益:约20dB(典型)
  带宽:DC至10GHz以上
  输出P1dB:+15dBm(典型)
  输出三阶交调截点(OIP3):+26dBm(典型)
  相位噪声贡献:<-160dBc/Hz @ 10kHz偏移(典型)
  输入/输出阻抗:50Ω
  驻波比(VSWR):<1.5:1(典型)
  热管理:底部散热焊盘增强散热
  引脚数:24引脚

特性

HMC7357LP5GE的核心特性之一是其极低的附加相位噪声表现,这使其成为高频信号链路中对相位稳定性和信号纯净度要求极高的理想选择。在现代通信系统中,尤其是毫米波通信、相干光传输和相控阵雷达中,本振信号的质量直接影响整个系统的误码率和分辨率。HMC7357LP5GE在10GHz载波频率下,10kHz偏移处的附加相位噪声可低至-160dBc/Hz以下,这一指标显著优于多数同类放大器,能够有效防止LO信号在传输过程中的退化。这种低噪声特性得益于其内部优化的晶体管偏置结构和低噪声放大单元设计,同时结合了精密的屏蔽布局以抑制外部干扰。
  另一个关键特性是其宽带工作能力。HMC7357LP5GE能够在从直流到超过10GHz的频率范围内保持平坦的增益响应,典型增益约为20dB,波动小于±1dB。这意味着它可以无缝应用于多频段系统而无需重新配置电路参数。宽带性能配合片内集成的输入输出匹配网络,大幅降低了客户在RF匹配设计上的复杂度,减少了调试时间。此外,该芯片具备出色的线性度指标,OIP3高达+26dBm,使得其在处理高功率或多载波信号时仍能保持较低的互调失真,避免邻道干扰问题。
  热稳定性和可靠性也是HMC7357LP5GE的重要优势。其LFCSP封装带有中心接地及散热焊盘,可通过PCB上的热过孔将热量高效传导至底层地平面,从而保证长时间运行下的温度稳定性。即使在高温工业环境中,该器件也能维持性能一致性。此外,它具备良好的ESD防护能力和抗闩锁特性,增强了现场应用中的鲁棒性。所有这些特性共同使HMC7357LP5GE成为高端射频系统中不可或缺的关键组件。

应用

HMC7357LP5GE主要应用于对信号完整性和相位噪声极为敏感的高端射频系统中。一个典型用途是在微波点对点通信系统中作为本地振荡器(LO)缓冲放大器,用于增强LO信号强度并隔离前后级电路,防止负载变化影响频率源的稳定性。在测试与测量仪器如高性能信号发生器、频谱分析仪和矢量网络分析仪中,该芯片被广泛用于内部时钟或参考信号的驱动级,确保输出信号具有极低的抖动和相位噪声,从而提高测量精度。
  在相控阵雷达和电子战系统中,HMC7357LP5GE常用于天线单元的前端模块中,负责放大接收到的微弱信号或驱动发射通道的混频器。由于这类系统依赖精确的相位控制来实现波束成形和空间定向,因此任何额外的相位抖动都会导致性能下降,而HMC7357LP5GE的低附加噪声特性正好满足这一严苛要求。此外,在卫星通信地面站和深空探测设备中,该器件也扮演着关键角色,特别是在上变频和下变频链路中用作IF或RF放大器,保障长距离传输中的信号质量。
  科研和实验室环境中,HMC7357LP5GE也被用于构建超稳频率合成系统、原子钟信号分配网络以及量子计算控制系统中的高频脉冲生成路径。它的高增益、宽带宽和低失真特性使其能够兼容多种调制格式和高速数据传输协议。总之,凡是涉及高频、低噪声、高线性度放大的场景,HMC7357LP5GE都是一个可靠且高效的选择。

替代型号

HMC7356LP5GE
  HMC7358LP5GE
  HMC8410LC5TR

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HMC7357LP5GE参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥699.91000带
  • 系列-
  • 包装
  • 产品状态在售
  • 频率5.5GHz ~ 8.5GHz
  • P1dB34.5dBm
  • 增益29.5dB
  • 噪声系数-
  • 射频类型VSAT,DBS
  • 电压 - 供电8V
  • 电流 - 供电1.2A
  • 测试频率5.5GHz ~ 7GHz
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳24-TFCQFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装24-CSMT(4x4)