类型：压控振荡器（VCO）
　　输出频率范围：13.5 GHz 至 14.5 GHz
　　典型输出频率：14 GHz
　　输出功率：+5 dBm（典型值）
　　相位噪声@100 kHz偏移：-105 dBc/Hz（典型值）
　　相位噪声@1 MHz偏移：-114 dBc/Hz（典型值）
　　供电电压：5 V
　　电流消耗：85 mA（典型值）
　　调谐电压范围：0 V 至 5 V
　　封装类型：6引脚陶瓷SMT（LP6CE）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　技术工艺：SiGe BiCMOS

HMC702LP6CE具备卓越的高频稳定性与极低的相位噪声表现，是其最显著的技术优势之一。该VCO基于先进的SiGe BiCMOS工艺制造，能够在14 GHz左右的毫米波频段内提供高度稳定的连续波输出。其内部集成了高质量因子的谐振结构和优化的负阻发生电路，确保在宽调谐电压范围内实现平滑且线性的频率响应，避免跳模或频率突变现象。该器件的相位噪声性能尤为突出，在1 MHz频率偏移处可低至-114 dBc/Hz，这对于高阶调制通信系统（如QAM、OFDM）至关重要，能够有效降低误码率并提升接收机灵敏度。此外，HMC702LP6CE的输出功率在全频段内保持高度平坦，典型值为+5 dBm，可直接驱动后续的混频器、倍频器或功率放大器，无需额外的缓冲放大级，从而减少系统复杂度和功耗。该芯片还具备良好的电源抑制比（PSRR），对外部电源波动不敏感，增强了系统鲁棒性。其调谐输入端口具有较宽的电压控制范围（0–5 V），便于与多种DAC或滤波电路接口。封装方面，采用6引脚陶瓷表面贴装形式（LP6CE），不仅体积小巧（约2.9 mm × 2.9 mm），而且具有优异的散热性能和电磁屏蔽能力，适合高密度PCB布局。该器件的工作温度范围为-40°C至+85°C，满足工业级和部分军用标准，可在恶劣环境下长期稳定运行。此外，HMC702LP6CE无需外接变容二极管或LC调谐网络，减少了外围元件数量，提高了生产一致性与可靠性。
　　HMC702LP6CE的设计充分考虑了射频系统的集成需求。其输入调谐电压与输出频率之间具有良好的线性关系，有利于闭环控制系统中的快速锁定。同时，该VCO具有较低的谐波输出水平，减少了后续滤波负担。器件的启动时间短，通常在微秒量级即可进入稳定振荡状态，适用于需要频繁启停的应用场景。Analog Devices为该系列VCO提供了详尽的数据手册和参考设计，支持客户快速完成射频链路建模与仿真。

HMC702LP6CE广泛应用于高性能射频与微波系统中，尤其是在需要极高频率稳定性和低相位噪声的场合。典型应用包括宽带无线回传系统，特别是在E频段（如14 GHz）点对点微波通信链路中，作为本振源为上下变频器提供精确的参考信号。在雷达系统中，尤其是相控阵雷达和毫米波成像雷达，该VCO可用于生成发射信号或本地振荡信号，其低相位噪声特性有助于提高距离分辨率和目标检测精度。在测试与测量设备领域，如矢量网络分析仪、信号发生器和频谱仪中，HMC702LP6CE可作为核心振荡单元，保障仪器的频率准确性和动态范围。此外，该器件也适用于卫星通信地面站、深空探测设备以及高速数字通信系统中的时钟恢复电路。在科研实验中，例如原子钟同步、量子计算控制系统或超导探测器激励源，HMC702LP6CE也能发挥其高频纯净信号的优势。由于其封装紧凑且易于集成，该芯片还被用于小型化战术通信设备和无人机载通信平台。在与高性能锁相环（PLL）芯片组合使用时，可以构建完整的频率合成器，实现精确的频率调节和跳频功能，适用于电子战和安全通信系统。

HMC703LP6CE
　　HMC513A-LP6CE
　　HMC514A-LP6CE