HMC624LP4ETR是Hittite Microwave Corporation(现为Analog Devices旗下)生产的一款宽带、高线性度、低噪声放大器(LNA)。该芯片采用GaAs pHEMT工艺制造,设计用于需要卓越射频性能的无线通信和测试测量应用。其工作频率范围宽广,覆盖0.01 GHz至20 GHz,适合多种高频应用场景。
此器件封装形式为紧凑型4x4 mm QFN,具有良好的散热性能和易于PCB集成的特点。此外,HMC624LP4ETR支持单电源供电,并且可以通过外部偏置调节来优化功耗与性能之间的平衡。
增益:15 dB
噪声系数:1.3 dB
P1dB压缩点功率:+18 dBm
三阶交调截点(OIP3):+36 dBm
工作频率范围:0.01 GHz 至 20 GHz
电源电压:+4.8 V
静态电流:70 mA
封装形式:4x4 mm QFN
HMC624LP4ETR的主要特点是其出色的射频性能和宽泛的工作频率范围。它在低噪声系数方面表现出色,仅为1.3 dB,在确保信号质量的同时还能维持较高的增益(15 dB)。此外,其输出功率能力强大,P1dB压缩点功率达到+18 dBm,能够满足大动态范围的需求。
这款芯片还拥有很高的线性度,三阶交调截点(OIP3)高达+36 dBm,这使得它非常适合于处理复杂的多载波或宽带信号环境。通过单一电源供电以及可调节的偏置设置,用户可以根据实际应用需求灵活调整功耗水平。
另外,HMC624LP4ETR采用了小型化4x4 mm QFN封装,既保证了足够的散热能力又方便与现代电路板集成。
HMC624LP4ETR适用于各种需要高性能射频信号放大的场景。具体包括:
1. 宽带通信系统,例如微波点对点链路、卫星通信等;
2. 测试测量设备,如频谱分析仪、矢量网络分析仪等;
3. 雷达系统中的接收机前端放大;
4. 光纤通信中的光模块驱动放大;
5. 射频仪器仪表和实验平台构建。
凭借其超宽频带和优秀性能指标,HMC624LP4ETR成为许多高端射频应用的理想选择。
HMC626LP4E,HMC994LP4E,HMC750LP4E