工作频率范围：24 GHz 至 35 GHz
　　增益：约 21 dB
　　噪声系数：约 2.8 dB
　　输出P1dB压缩点：约 +10 dBm
　　IIP3（三阶交调截点）：约 +18 dBm
　　工作电压：3 V 至 5 V
　　静态电流：约 50 mA
　　封装类型：5引脚 SOT-23 陶瓷封装
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　工作结温范围：-40°C 至 +85°C

HMC565LC5TR低噪声放大器的核心优势在于其在24 GHz至35 GHz毫米波频段内实现了优异的综合射频性能，特别适用于高数据速率和长距离传输的通信系统。首先，在增益表现方面，该器件在整个工作频带内可提供高达约21 dB的稳定小信号增益，且增益平坦度控制在±1 dB以内，这种高度一致的增益响应极大地方便了系统级联设计，有助于维持链路预算的精确性，并减少后续滤波或均衡处理的复杂度。其次，其噪声系数仅为约2.8 dB，这意味着它在接收链路前端能够最大限度地抑制自身引入的热噪声，显著提升系统的整体灵敏度，这对于弱信号接收环境下的毫米波通信至关重要，例如在远距离点对点无线桥接或低功率卫星通信中。
　　另一个关键特性是其出色的线性度指标。HMC565LC5TR的输出P1dB压缩点达到约+10 dBm，IIP3高达约+18 dBm，表明其在面对强干扰信号或多载波应用场景时仍能保持良好的信号保真度，有效降低互调失真对主信号的干扰，从而保障通信质量。这一特性使其非常适合部署在密集城区环境中运行的5G毫米波小型基站，那里存在多个邻道和同频干扰源。此外，该器件采用GaAs pHEMT工艺，不仅带来了高频工作的天然优势，还赋予其较高的功率耐受能力和温度稳定性，确保在长时间连续运行或环境温度波动条件下性能不发生明显劣化。
　　在实用性方面，HMC565LC5TR集成了可调节的有源偏置电路，允许工程师通过外接电阻设定合适的静态工作点，灵活地在低功耗模式与高性能模式之间进行权衡。同时，其5引脚SOT-23陶瓷封装不仅体积小巧，便于集成到紧凑型模块中，而且具备优良的高频寄生参数控制能力，有利于实现宽带匹配和阻抗转换。该封装还提供了良好的散热路径，有助于将芯片产生的热量及时导出，防止因温升导致性能下降。最后，器件内置了ESD保护结构，增强了在装配、调试和现场维护过程中的抗损伤能力，提升了产品的整体可靠性。这些综合特性使HMC565LC5TR成为毫米波射频前端设计中的理想选择。

HMC565LC5TR因其卓越的高频性能和高线性度，被广泛应用于多个高端射频与微波系统领域。在现代5G无线通信基础设施中，该器件常用于毫米波频段（如28 GHz和39 GHz）的小型基站（Small Cell）和大规模MIMO天线阵列的接收前端，作为第一级低噪声放大器来增强微弱的上行信号，提高基站的接收灵敏度和覆盖范围。由于其宽频带特性，也可用于支持多频段操作的通用射频模块设计，降低物料种类和系统复杂度。
　　在点对点（Point-to-Point）微波回传系统中，HMC565LC5TR用于E频段（如24–35 GHz）的无线桥接设备中，承担高速数据链路的信号放大任务，支持数Gbps级别的数据吞吐量，适用于城市间骨干网连接、移动回传和企业专线接入等场景。其高增益和低噪声特性确保了即使在长距离传输后衰减严重的信号也能被有效恢复。
　　在卫星通信终端方面，该放大器可用于地面站的低噪声块下变频器（LNB）或便携式卫星通信设备中，用于放大来自卫星的K波段信号，尤其适用于非静止轨道（NGSO）卫星互联网服务，如Starlink或OneWeb相关终端设备的研发。此外，在相控阵雷达和电子战（EW）系统中，HMC565LC5TR可用作分布式接收通道中的前置放大单元，其一致性好、体积小的特点有利于实现高密度集成和波束成形精度控制。其他潜在应用还包括测试与测量仪器、毫米波成像系统以及科研级射电天文接收机等需要极高射频性能的场合。

HMC564LC5TR
　　HMC1055ALC5TR
　　ADAR1000