时间：2025/11/5 11:33:05
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HMC536MS8GETR是一款由Analog Devices（ADI）公司推出的高性能、宽带宽射频（RF）低噪声放大器（LNA），专为满足微波和毫米波通信系统中的高线性度与低噪声需求而设计。该器件采用先进的GaAs pHEMT工艺制造，能够在24 GHz至34 GHz的高频范围内稳定工作，适用于点对点无线回传、5G毫米波基础设施、卫星通信以及雷达系统等高端应用场景。HMC536MS8GETR封装于符合RoHS标准的8引脚MSOP小型化封装中，并具备优良的散热性能和电磁屏蔽特性，适合在紧凑型射频前端模块中使用。其内部集成了匹配网络，减少了外部元件数量，简化了PCB布局设计，同时提高了整体系统的可靠性与一致性。此外，该放大器具有出色的增益平坦度和输入/输出驻波比（VSWR），可在宽温度范围（-40°C至+85°C）内保持稳定的电气性能，确保在严苛环境下的长期运行稳定性。
型号：HMC536MS8GETR
制造商：Analog Devices
工作频率：24 GHz 至 34 GHz
增益：约 18 dB
噪声系数：典型值 2.5 dB
输出P1dB：约 +15 dBm
OIP3（三阶交调点）：约 +30 dBm
工作电压：+5 V
静态电流：约 120 mA
封装类型：8引脚 MSOP
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
阻抗匹配：50 Ω
内部匹配：是
封装尺寸：3 mm × 3 mm
湿气敏感等级（MSL）：3
引脚数：8
RoHS合规：是
HMC536MS8GETR具备卓越的高频性能与高度集成化的设计特点，使其成为毫米波频段应用中的理想选择。该器件在24 GHz至34 GHz的超宽频带内实现了高达18 dB的高增益，且在整个频段内增益波动小于±1 dB，保证了信号放大的均匀性和系统响应的一致性。其典型的噪声系数仅为2.5 dB，显著提升了接收链路的灵敏度，特别适用于远距离或弱信号条件下的无线通信场景。
该LNA具有出色的线性性能，输出三阶截距点（OIP3）可达+30 dBm，表明其在处理高功率或多载波信号时能有效抑制非线性失真，减少互调干扰，从而提升系统的动态范围和信噪比。输出1 dB压缩点（P1dB）约为+15 dBm，支持较强信号的线性放大，适用于高容量数据传输系统。
器件采用+5V单电源供电，静态电流约为120 mA，在高性能的同时兼顾了功耗效率。内部已集成输入输出匹配电路，用户无需额外设计复杂的匹配网络，大幅降低了射频设计门槛并节省了PCB面积。此外，其良好的输入输出回波损耗（S11/S22 < -10 dB）确保了与前后级电路的良好阻抗匹配，减少了信号反射。
HMC536MS8GETR还具备优异的温度稳定性与抗环境干扰能力，所有关键参数均在-40°C至+85°C工业级温度范围内经过验证，适合部署于户外基站、车载通信设备及航空航天系统中。封装方面采用小型化的8引脚MSOP，便于自动化贴装，并支持无铅焊接工艺，符合现代绿色电子制造要求。
HMC536MS8GETR广泛应用于需要在K波段进行高频信号放大的通信与传感系统中。典型用途包括5G毫米波基站的射频前端接收模块，用于增强上行链路的信号捕获能力，提高网络覆盖质量与容量。在点对点和点对多点微波回传系统中，该器件可作为低噪声前置放大器，有效提升长距离无线传输的链路预算与抗干扰能力。
在卫星通信终端中，HMC536MS8GETR可用于Ka频段接收链路，配合天线和下变频器实现对微弱卫星信号的高保真放大，保障高速数据通信的稳定性与可靠性。此外，在相控阵雷达、电子战系统和毫米波成像设备中，该LNA也发挥着关键作用，通过提供低噪声、高线性的信号预处理能力，提升目标检测精度与系统分辨率。
由于其宽带特性，HMC536MS8GETR还可用于测试与测量仪器中的高频信号调理电路，如频谱分析仪、信号发生器和矢量网络分析仪的前端模块，以确保测试结果的准确性与重复性。在科研领域，该芯片也被用于太赫兹技术研究中的中间频率放大环节，支持前沿无线通信技术的开发与验证。
HMC535MS8G
HMC1056LC5TR
ADAR1712ACPZ-R7
