时间：2025/6/14 10:43:54
阅读：4
HMC452ST89ETR 是一款由 Analog Devices（ADI）推出的砷化镓（GaAs）假晶高电子迁移率晶体管（pHEMT）单刀双掷开关（SPDT Switch），采用符合 RoHS 标准的 8 引脚 SOT-89 表面贴装型封装。该芯片适用于要求低插入损耗、高隔离度和低功耗的射频及微波应用，其工作频率范围为 DC 至 18 GHz。
此器件通过控制电压来切换两个射频端口之间的连接，并且由于其低电荷注入特性，能够实现快速切换并减少视频馈通。同时，它具有极佳的线性度和可靠性，在多种通信系统中表现出色。
型号：HMC452ST89ETR
类型：SPDT RF Switch
材料：GaAs pHEMT
封装：SOT-89 (8引脚)
工作频率范围：DC 至 18 GHz
插入损耗：0.3 dB（典型值，@ 10 GHz）
隔离度：30 dB（最小值，@ 10 GHz）
回波损耗：18 dB（典型值，@ 10 GHz）
电源电压：+5 V 或 +3 V
直流功耗：6 mA（典型值，@ +5 V）
开关时间：小于 50 ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
HMC452ST89ETR 具有卓越的射频性能表现，尤其是在高频段应用中：
1. 它支持从直流到 18 GHz 的宽泛频率范围，非常适合现代宽带通信设备。
2. 插入损耗非常低，仅为 0.3 dB（在 10 GHz 下），有助于最大限度地减少信号衰减。
3. 提供了高达 30 dB 的出色隔离性能，保证不同射频路径之间不会产生干扰。
4. 极低的电荷注入量（约 15 fC）减少了视频馈通问题，提升了系统的动态范围。
5. 支持双电源电压模式（+5V 和 +3V），方便与各种逻辑电平兼容。
6. 快速的开关速度（<50ns）使其能够满足高速数据传输需求。
7. 高可靠性设计确保长期稳定运行，适应严苛环境下的使用条件。
8. 小巧的表面贴装封装便于集成进紧凑型电路板布局。
HMC452ST89ETR 广泛应用于以下领域：
1. 测试测量仪器：如矢量网络分析仪、频谱分析仪等需要高精度射频信号切换的场景。
2. 无线通信基础设施：包括基站收发信机中的多路复用器、天线分集切换等功能模块。
3. 点对点无线电链路：用于微波回传网络中实现灵活通道配置。
4. 卫星通信终端：支持 L 波段至 Ku 波段卫星信号处理。
5. 军事雷达系统：提供关键的射频信号路由功能以增强探测能力。
6. 医疗成像设备：例如超声波诊断装置中的相控阵探头驱动部分。
7. 工业自动化控制：涉及短距离无线传感网络或物联网节点通信。
8. 汽车雷达与高级驾驶辅助系统（ADAS）：保障毫米波传感器高效运作。
HMC453ST89ETR,HMC451ST89ETR
