HMC442LC3BTR 是一款由 Analog Devices 提供的高性能 GaAs MMIC(单片微波集成电路)低噪声放大器(LNA)。该器件采用符合 RoHS 标准的无铅封装设计,适用于无线通信、测试测量设备以及军事雷达等高频应用领域。其工作频率范围为 10 GHz 至 20 GHz,并具备高增益、低噪声和出色的线性度性能。
该芯片采用了先进的假晶高电子迁移率晶体管(pHEMT)技术制造,能够提供稳定的射频信号放大功能。同时,由于其小型化的封装形式(3x3mm SMT 封装),它非常适合需要紧凑型设计的应用场景。
工作频率范围:10 GHz 至 20 GHz
增益:15 dB 典型值
噪声系数:1.8 dB 典型值
P1dB 压缩点输出功率:+12 dBm 典型值
最大输入/输出回波损耗:15 dB 典型值
电源电压:+5V
静态电流:60 mA 典型值
HMC442LC3BTR 在高频段具有优异的性能表现,主要特点包括:
- 工作频率范围宽,覆盖从 10 GHz 到 20 GHz 的高频带,适合多种射频应用。
- 高增益和低噪声系数使其成为低信号强度环境中理想的信号放大解决方案。
- 良好的线性度,确保在高动态范围下的稳定运行。
- 小型化封装便于系统集成,特别适合对空间有严格要求的设计。
- 单正电源供电简化了电路设计,减少了外部元件的数量。
- 稳定的工作性能和良好的温度特性,确保在不同环境条件下的可靠性。
HMC442LC3BTR 广泛应用于各种高频电子系统中,具体应用领域包括:
- 无线通信基础设施中的接收机前端模块,用于提高信号质量。
- 测试与测量设备中的高频信号放大,如网络分析仪、频谱分析仪等。
- 军事雷达系统中的低噪声信号放大,提升探测精度。
- 点对点无线电链路系统,增强长距离传输能力。
- 卫星通信中的地面站设备,用于接收弱信号的放大处理。
HMC442LP3E, HMC442MS8C