HMC425ALP3ETR是Hittite Microwave公司(现为Analog Devices的一部分)推出的一款高性能GaAs MMIC低噪声放大器芯片。该器件工作频率范围为8至16 GHz,具有卓越的增益和噪声性能,非常适合用于点对点无线电、VSAT、测试设备以及其他微波通信应用。其设计采用了先进的GaAs pHEMT工艺技术,能够在宽温度范围内提供稳定可靠的性能。
HMC425ALP3ETR采用紧凑的3x3 mm QFN封装形式,简化了电路板集成,并且无需外部匹配组件即可实现最佳性能。此外,这款放大器支持单电源供电,典型工作电压为+5V。
频率范围:8至16 GHz
增益:15 dB
噪声系数:2.5 dB
P1dB输出功率:+15 dBm
最大输出功率:+20 dBm
电源电压:+5V
静态电流:90 mA
封装形式:3x3 mm LP3E QFN
HMC425ALP3ETR是一款专为高频应用优化的低噪声放大器,具有以下主要特性:
1. 宽带操作能力:覆盖8到16 GHz的频段,适用于多种射频和微波系统。
2. 高增益与低噪声:在保证15 dB高增益的同时,噪声系数仅为2.5 dB,确保信号传输质量。
3. 高线性度:P1dB压缩点达到+15 dBm,适合处理中等功率电平的应用场景。
4. 简化设计:内置匹配网络,减少了对外部元件的需求,从而降低了整体解决方案的复杂性和成本。
5. 宽温度稳定性:经过优化的设计使其能够在-40°C至+85°C的工作温度范围内保持一致的性能表现。
6. 单电源操作:仅需一个+5V电源,简化了供电电路的设计。
HMC425ALP3ETR凭借其出色的性能指标,在多个领域有着广泛的应用:
1. 无线通信:包括点对点微波链路、蜂窝基站回传等。
2. 卫星通信:如甚小孔径终端(VSAT)系统中的上行/下行链路。
3. 军事雷达与电子对抗:
- 用作接收机前端以增强弱信号捕捉能力。
4. 测试与测量设备:
- 提供精确稳定的信号放大部分。
5. 其他高频系统:
- 包括射频识别(RFID)、医疗成像以及工业科学医疗(ISM)频段相关产品。
HMC424LP3E
HMC547LP3E
ADL5711