工作频率范围：1.2 GHz 至 6.0 GHz
　　增益：约 18 dB（典型值）
　　噪声系数：约 1.6 dB（典型值）
　　输入三阶交调截点（IIP3）：+20 dBm（典型值）
　　1 dB压缩点输出功率（P1dB）：+12 dBm（典型值）
　　工作电压：5 V
　　静态电流：80 mA（典型值）
　　输入/输出阻抗：50 Ω（内部匹配）
　　封装类型：3 mm × 3 mm LFCSP（无引脚陶瓷封装）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　ESD耐受能力：HBM > 1 kV（典型）

HMC376LP3ETR具备卓越的宽带射频性能，其核心优势在于在整个1.2 GHz至6.0 GHz宽频带范围内实现了高增益与低噪声的完美结合。该器件采用GaAs pHEMT工艺，具有极高的电子迁移率和优异的高频响应能力，使其在微波频段表现出色。其典型噪声系数仅为1.6 dB，在整个工作频段内波动较小，确保了接收系统的灵敏度，特别适合用于弱信号放大场景。同时，其典型增益高达18 dB，并且增益平坦度控制在±0.5 dB以内，保证了不同频率下信号放大的一致性，避免因增益波动导致的信号失真或动态范围下降。
　　HMC376LP3ETR集成了完整的输入和输出匹配网络，用户无需额外设计复杂的匹配电路，显著缩短开发周期并降低设计难度。这种集成化设计不仅提升了可靠性，还减少了外围元件数量，有助于缩小PCB面积并降低成本。其50 Ω输入/输出阻抗设计与标准射频系统兼容，便于直接连接天线、滤波器或其他射频模块。
　　该器件具备出色的线性性能，典型IIP3达到+20 dBm，P1dB为+12 dBm，表明其在处理高强度多载波信号时仍能保持较低的互调失真，有效防止邻道干扰和信号压缩，适用于高密度调制格式如64-QAM甚至256-QAM的通信系统。此外，HMC376LP3ETR支持通过外部电阻调整偏置电流，允许工程师根据具体应用场景在功耗与性能之间进行权衡，例如在电池供电设备中降低电流以延长续航时间，或在固定基站中提高偏置以优化线性度。
　　封装方面，3 mm × 3 mm LFCSP陶瓷封装不仅体积小巧，而且具有优异的散热性能和机械稳定性，适合自动化贴片生产。该封装还优化了寄生参数，减少了高频下的信号损耗和相位失真，提升了整体高频性能。HMC376LP3ETR的工作温度范围宽达-40°C至+85°C，可在恶劣环境条件下稳定运行，满足工业级和部分军用标准的应用需求。

HMC376LP3ETR广泛应用于各类高性能射频接收前端系统中，尤其适用于需要宽带、低噪声和高线性度的无线通信设备。其典型应用场景包括点对点和点对多点微波通信系统，尤其是在5G回传、城域网接入和企业级无线桥接设备中作为低噪声放大器使用，能够显著提升链路预算和接收灵敏度。在卫星通信领域，该器件可用于C波段上行或下行链路的前端放大，支持高数据速率传输并增强抗干扰能力。雷达系统，尤其是短距离监视雷达和交通测速雷达，也常采用HMC376LP3ETR来提高目标检测精度和分辨率。
　　在测试与测量仪器中，如频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪，HMC376LP3ETR可作为前置放大器，用于增强微弱信号的可测性，从而提高仪器的整体动态范围和测量精度。此外，该芯片还适用于宽带软件定义无线电（SDR）平台，支持多频段、多模式通信协议的灵活切换，是构建通用射频前端的理想选择。
　　在物联网（IoT）基础设施、智能城市监控系统以及无人机通信链路中，HMC376LP3ETR凭借其小型化封装和高性能表现，成为实现远距离、高可靠无线连接的关键组件。由于其良好的ESD防护能力和环境适应性，该器件也可部署于户外恶劣环境中长期运行。总体而言，HMC376LP3ETR是一款面向中高频段通信系统的高性能LNA解决方案，适用于对信号质量、系统集成度和稳定性有严格要求的现代射频电子系统。

HMC376LP3E