时间：2025/5/10 17:52:41
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HMC363S8G是一款由Analog Devices公司生产的GaAs MMIC（单片微波集成电路）低噪声放大器，采用假晶高电子迁移率晶体管（pHEMT）技术制造。该芯片设计用于需要低噪声、高增益和宽带宽的射频和微波应用，工作频率范围为10 MHz至20 GHz。其紧凑的SOT-89封装形式使其非常适合空间受限的设计环境。
这款放大器无需额外的外部匹配元件即可在宽频率范围内提供出色的性能，从而简化了设计流程并减少了整体解决方案的尺寸。
型号：HMC363S8G
制造商：Analog Devices
产品类型：低噪声放大器(LNA)
工作频率范围：10 MHz 至 20 GHz
增益：15 dB 典型值
噪声系数：2.5 dB 典型值
输入回波损耗：15 dB 典型值
输出回波损耗：15 dB 典型值
最大输出功率(P1dB)：+10 dBm 典型值
电源电压：+4 V
工作电流：70 mA
封装形式：SOT-89
HMC363S8G具有卓越的射频性能，包括低噪声系数和高线性度，适合于接收机前端等对信号保真度要求较高的场景。
它采用了假晶高电子迁移率晶体管（pHEMT）工艺，能够保证在广泛的频率范围内维持稳定的性能表现。
由于其小型化SOT-89封装以及内置匹配网络，用户可以轻松将其集成到各类系统中，而无需复杂的外围电路设计。
此外，HMC363S8G仅需单一正电源供电，进一步简化了电路布局，并且功耗较低，非常适合便携式或电池供电设备。
HMC363S8G广泛应用于通信基础设施领域，例如蜂窝基站、点对点无线电系统及卫星通信系统中的射频信号放大。
同时，它也适用于测试与测量仪器、军事雷达系统以及其他需要高性能射频处理能力的场合。
其极宽的工作频率范围和低噪声特性，使得该器件成为许多现代无线系统的理想选择。
HMC364LP4E,HMC365LP4E,HMC366LP4E
