HMC349MS8GETR 时间：2025/7/8 11:14:22 阅读：8

HMC349MS8GETR 是一款由 Analog Devices（亚德诺半导体）推出的高性能 GaAs MMIC（单片微波集成电路）低噪声放大器 (LNA)。该芯片采用假晶高电子迁移率晶体管 (pHEMT) 技术制造，专为高频应用而设计，能够提供卓越的增益、低噪声系数和出色的线性度性能。其工作频率范围为 0.01 GHz 至 20 GHz，适用于各种无线通信系统、测试设备以及射频仪器仪表等场景。
　　该器件采用了 MSOP-8 封装形式，具有小尺寸、易于集成的特点，同时支持+5V 单电源供电，简化了电路设计。

参数

类型：低噪声放大器 (LNA)
　　工艺技术：GaAs pHEMT
　　工作电压：+5V
　　静态电流：125mA
　　增益：17.6dB (典型值，在 10GHz 下)
　　噪声系数：1.4dB (典型值，在 10GHz 下)
　　输入回波损耗：12dB (典型值，在 10GHz 下)
　　输出回波损耗：11dB (典型值，在 10GHz 下)
　　最大输入功率：+17dBm (典型值，在 1GHz 下)
　　带宽：0.01GHz 至 20GHz
　　封装：MSOP-8

特性

HMC349MS8GETR 提供了多种优异的性能特点：
　　1. 极宽的工作频率范围：从低至 0.01GHz 到高达 20GHz 的频率覆盖，使其适用于众多不同类型的高频应用，包括雷达、卫星通信及点对点无线电等。
　　2. 高增益与低噪声：在 10GHz 的中心频率下可实现 17.6dB 的高增益，并且保持较低的噪声系数仅 1.4dB，确保信号传输过程中质量损失最小。
　　3. 简化电源设计：只需单一 +5V 电源即可运行，大大降低了系统复杂度。
　　4. 良好的匹配性能：拥有优秀的输入和输出回波损耗表现，分别为 12dB 和 11dB（均以 10GHz 为基准），从而减少了反射并提高了效率。
　　5. 高线性度：即使面对大信号输入情况，也能维持较好的线性特性，减少失真。
　　6. 小型化封装：采用 MSOP-8 封装，既节省空间又便于安装于紧凑型设备中。

应用

HMC349MS8GETR 的广泛应用领域涵盖：
　　1. 无线基础设施建设：例如蜂窝基站中的接收链路，用于提升灵敏度。
　　2. 测试与测量设备：如频谱分析仪或网络分析仪内作为前端放大器，增强测量精度。
　　3. 光纤通信系统：用作光电转换后的电信号预放大部分，改善信噪比。
　　4. 军事与航空航天领域：应用于相控阵雷达或其他高可靠性要求的射频系统。
　　5. 医疗成像：超声波探头中的信号放大处理部分。
　　6. 科学研究：天文观测望远镜的射频信号采集与处理环节。