时间：2025/6/5 21:12:11
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HMC326MS8G是一款高性能的砷化镓（GaAs）假晶高电子迁移率晶体管（pHEMT）单刀双掷开关（SPDT），由Analog Devices Inc.（ADI）制造。该器件采用紧凑型MSOP8封装，适用于要求低插入损耗、高隔离度和出色线性度的射频和微波应用。HMC326MS8G支持的工作频率范围为DC至20 GHz，使其成为宽带通信系统和测试测量设备的理想选择。
该开关通过TTL兼容控制输入进行操作，并且在导通状态下的插入损耗较低，同时保持较高的隔离性能。其设计无需外部匹配组件，从而简化了电路设计并减少了整体解决方案的尺寸。
类型：单刀双掷开关（SPDT）
封装：MSOP-8
工作频率范围：DC - 20 GHz
插入损耗：0.4 dB（典型值，@10 GHz）
隔离度：25 dB（最小值，@10 GHz）
VSWR：1.5:1（最大值）
电源电压：+5 V或+3 V
控制输入：TTL兼容
功率处理能力：27 dBm（典型值，@10 GHz）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
HMC326MS8G具有以下关键特性：
1. 高频率范围覆盖从直流到20 GHz，满足多种宽带应用需求。
2. 在整个工作频率范围内提供低插入损耗和高隔离度，确保信号传输效率。
3. TTL兼容控制输入简化了数字控制逻辑的设计。
4. 内部集成了所有必要的匹配网络，无需外部元件即可实现最佳性能。
5. 支持+5V和+3V两种电源电压选项，增加了灵活性。
6. 小尺寸MSOP-8封装，适合空间受限的应用场景。
7. 工作温度范围宽广，适应各种环境条件下的稳定运行。
HMC326MS8G广泛应用于以下领域：
1. 宽带通信系统，如蜂窝基础设施、点对点无线电和卫星通信。
2. 测试与测量设备，例如信号发生器、频谱分析仪和网络分析仪。
3. 微波无线电和雷达系统。
4. 医疗成像和其他需要高性能射频开关的应用。
5. 光纤通信中的光模块和收发器。
6. 任何需要在高频段内实现低损耗切换的场合。
HMC373LC3C,HMC372LP4E,HMC393LC3B
