HMC216MS8是Analog Devices公司(ADI)生产的一款GaAs MMIC低噪声放大器(LNA),采用匹配的微波表贴封装设计,适用于高频射频应用。该芯片工作频率范围为10至20 GHz,具有高增益、低噪声和卓越的线性度特性,适合用于点对点无线电、VSAT、卫星通信以及测试设备等系统中的接收机前端。
类型:低噪声放大器 (LNA)
工作频率范围:10 GHz 至 20 GHz
增益:17 dB(典型值)
噪声系数:2.5 dB(典型值)
输入回波损耗:13 dB(最小值)
输出回波损耗:15 dB(最小值)
电源电压:+5 V
静态电流:75 mA
P1dB压缩点:+14 dBm(典型值)
IP3:+30 dBm(典型值)
封装形式:MSOP-8
工作温度范围:-55°C 至 +105°C
HMC216MS8具备出色的射频性能,能够在宽频率范围内提供稳定的增益和低噪声表现。其高线性度使其非常适合需要大动态范围的应用场景。
该器件采用了先进的GaAs工艺制造,确保了其在高频段的工作稳定性。
此外,其集成的输入和输出匹配网络简化了设计流程,并减少了对外部元件的需求,从而降低了整体方案的成本和复杂度。
HMC216MS8还具有良好的散热特性和宽泛的工作温度范围,能够适应各种苛刻的环境条件。
HMC216MS8主要应用于高频射频领域,包括但不限于:
1. 点对点无线通信系统
2. 卫星通信接收机
3. 雷达系统
4. VSAT终端设备
5. 测试与测量仪器
6. 光纤通信中的光接收模块
这些应用都依赖于其高增益、低噪声以及优异的线性度特性,以保证信号的完整性并提升系统的灵敏度。
HMC216LP4E