HMC207AS8ETR 时间：2025/12/25 21:06:13 阅读：9

HMC207AS8ETR是一款由Analog Devices（ADI）公司生产的高性能射频（RF）低噪声放大器（LNA），采用裸片形式提供，专为微波和毫米波应用设计。该器件基于砷化镓（GaAs）异质结双极晶体管（HBT）工艺制造，具有出色的增益、低噪声系数以及高线性度，适用于要求严苛的无线通信系统。HMC207AS8ETR工作频率范围覆盖1.8 GHz至3.0 GHz，使其非常适合应用于点对点微波无线电、卫星通信系统、军用无线电、雷达前端以及测试与测量设备等高频场景。该器件以裸片形式封装（Die Form），便于集成到多芯片模块（MCM）或混合信号电路中，特别适合空间受限且需要高密度布局的应用环境。其紧凑的设计和优异的电气性能使得HMC207AS8ETR成为高端射频前端设计中的理想选择之一。

参数

制造商：Analog Devices
　　产品类别：射频放大器 - 低噪声放大器（LNA）
　　技术类型：GaAs HBT
　　工作频率范围：1.8 GHz 至 3.0 GHz
　　小信号增益：约 18 dB（典型值，2.4 GHz）
　　噪声系数：约 1.6 dB（典型值，2.4 GHz）
　　输入/输出匹配：50 Ω 系统兼容
　　输入三阶交调截点（IIP3）：约 +15 dBm（典型值）
　　工作电压（Vcc）：+5 V
　　静态电流（Icc）：约 45 mA
　　封装类型：裸片（Die）
　　尺寸：非常紧凑，具体尺寸需参考数据手册（通常在0.8mm x 0.6mm量级）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C

特性

HMC207AS8ETR具备卓越的低噪声性能，在整个1.8 GHz至3.0 GHz的工作频段内，噪声系数保持在较低水平，典型值约为1.6 dB，这使得它能够在接收链路中有效提升信噪比，增强系统的灵敏度。其高增益特性提供了大约18 dB的小信号增益，有助于补偿后续混频器或滤波器带来的插入损耗，简化系统设计并减少级数需求。该器件采用GaAs HBT工艺，不仅保证了良好的高频响应，还提供了较高的线性度表现，其输入三阶交调截点（IIP3）可达+15 dBm左右，能够在存在强干扰信号的环境中维持良好的动态范围，避免非线性失真影响系统性能。
　　HMC207AS8ETR设计上优化了输入和输出阻抗匹配，支持50欧姆系统直接连接，减少了外部匹配网络的复杂性，降低了设计难度和元件数量。此外，该放大器在+5V供电下仅消耗约45mA电流，实现了性能与功耗之间的良好平衡，适合对电源效率有一定要求的应用场景。由于其裸片形式封装，用户可以根据实际布局需求进行倒装焊（Flip-Chip）或引线键合（Wire Bonding），广泛用于高集成度的微波模块、相控阵天线单元及毫米波前端组件中。
　　该器件具有良好的热稳定性和可靠性，可在-40°C至+85°C的工业温度范围内稳定工作，适用于恶劣环境下的通信系统。同时，其静电放电（ESD）防护能力经过优化，提升了装配过程中的鲁棒性。HMC207AS8ETR无需外部偏置电路即可正常工作，内部集成了偏置电阻和稳定电路，进一步简化了外围设计。总体而言，这款LNA以其宽频带、低噪声、高增益和高线性度的综合优势，成为现代高性能射频接收系统的关键组件之一。

应用

HMC207AS8ETR主要用于高性能射频和微波接收系统中，作为前端低噪声放大器，广泛应用于点对点和点对多点无线回传系统，特别是在2.4 GHz和2.6 GHz频段的微波无线电中发挥关键作用。它也常用于卫星通信地面站设备，用于增强微弱信号的接收能力，提高链路预算。在军事和航空航天领域，该器件被集成于战术通信系统、电子战系统以及雷达前端模块中，用于提升目标探测灵敏度和抗干扰能力。此外，HMC207AS8ETR适用于测试与测量仪器，如频谱分析仪、信号发生器和网络分析仪的前端模块，确保高保真信号放大。其裸片形式特别适合多芯片模块（MCM）和混合集成射频前端，可用于相控阵天线系统、毫米波通信原型平台以及高密度封装的无线基础设施设备中。