时间：2025/6/4 1:58:19
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HMC199MS8ETR 是一款由 Analog Devices（ADI）公司生产的宽带、高线性度 MMIC（单片微波集成电路）混频器，采用 GaAs E-pHEMT 工艺制造。该器件集成了 LO 缓冲放大器、RF 放大器和 IF 放大器，适用于无线基础设施、点对点无线电以及测试设备等应用。HMC199MS8ETR 提供出色的射频性能，并支持从 DC 到 6 GHz 的宽频率范围。
此混频器具有单端输入/输出设计，简化了系统集成，同时其高动态范围和低噪声系数特性使其非常适合需要高性能的接收机和发射机应用。
类型：混频器
工艺：GaAs E-pHEMT
频率范围：DC 至 6 GHz
LO 功率：+2 dBm 典型值
转换增益：7.5 dB（典型值）
隔离度：40 dB（典型值，LO 至 RF）
噪声系数：8.5 dB（典型值）
输入 IP3：+34 dBm（典型值）
工作电压：+5 V
工作电流：约 100 mA
HMC199MS8ETR 提供卓越的射频性能，包括高线性度、低噪声和较宽的工作频率范围。它还内置了多个放大器级，从而减少了对外部元件的需求，进一步简化了设计过程。
其单端设计降低了与差分信号处理相关的复杂性，同时提供了更高的灵活性和兼容性。此外，这款芯片通过优化功耗和性能之间的平衡，适合多种应用环境，例如通信基站、雷达系统或高端测试设备。
在封装方面，HMC199MS8ETR 使用 MS8E 封装形式，这种封装紧凑且易于焊接，为高频电路的设计提供了便利。
HMC199MS8ETR 广泛应用于以下领域：
- 无线通信基础设施中的收发器模块
- 点对点微波无线电链路
- 高性能测试与测量设备
- 军用雷达和电子对抗系统
- 卫星通信系统
- 宽带数据传输设备
由于其出色的线性度和低噪声特性，HMC199MS8ETR 特别适合需要高动态范围的应用场景。
HMC199LC4BTR
