制造商：Analog Devices
　　产品型号：HMC1113LP5E
　　类型：无源双平衡混频器
　　封装类型：LFCSP-20 (5mm x 5mm)
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　RF频率范围：7 GHz 至 14 GHz
　　LO频率范围：7 GHz 至 14 GHz
　　IF频率范围：DC 至 4 GHz
　　LO驱动功率：+13 dBm 典型值
　　转换损耗：典型值 9.5 dB
　　LO-RF隔离：典型值 35 dB
　　LO-IF隔离：典型值 30 dB
　　RF-IF隔离：典型值 25 dB
　　输入P1dB：约 +10 dBm
　　IIP3（三阶交调截点）：约 +25 dBm
　　VSWR（各端口）：< 2.0:1 典型值

HMC1113LP5E具备多项关键特性，使其在高性能射频系统中脱颖而出。首先，其宽带操作能力覆盖7 GHz至14 GHz的RF和LO频段，配合高达4 GHz的IF带宽，使该混频器能够适应多种现代无线通信标准，包括5G毫米波回传、卫星通信以及雷达系统。这种宽频带特性减少了设计中对多个专用混频器的需求，提升了系统的灵活性与集成度。
　　其次，作为一款无源双平衡混频器，HMC1113LP5E无需直流电源供电，显著降低了系统功耗和热管理复杂性。它利用肖特基二极管环结构实现高效的频率转换，提供典型的9.5 dB转换损耗，在同类器件中表现优异。尽管是无源结构，但其高线性度确保了优秀的三阶交调性能（IIP3达+25 dBm），有效抑制了非线性失真，这对于多载波和高信号密度环境至关重要。
　　第三，HMC1113LP5E提供了卓越的端口间隔离性能，其中LO-RF隔离典型值达到35 dB，LO-IF为30 dB，RF-IF为25 dB。高水平的隔离有助于防止本振泄漏影响其他电路模块，提升接收机灵敏度和发射机频谱纯净度。此外，所有端口均采用片内匹配设计，VSWR通常低于2.0:1，减少了对外部匹配网络的依赖，简化了PCB布局并提高了生产一致性。
　　该器件采用紧凑的5 mm × 5 mm LFCSP封装，支持表面贴装工艺，适用于自动化装配流程。其热性能良好，能够在-40°C至+85°C的工业温度范围内稳定运行，满足严苛环境下的可靠性要求。最后，HMC1113LP5E兼容常见的高频PCB材料（如Rogers或Tachyon系列），通过优化的引脚布局最小化寄生效应，确保高频性能的一致性和可重复性。这些综合特性使其成为高端微波系统的理想选择。

HMC1113LP5E广泛应用于需要高性能频率转换的射频系统中。主要用途包括点对点和点对多点微波通信系统，特别是在E-band和类似高频段的数据回传网络中，用于实现上下变频功能。在5G基础设施建设中，该混频器可用于毫米波基站的射频前端，支持高容量无线接入和回程链路传输。此外，它也被用于测试与测量仪器，如频谱分析仪、信号发生器和矢量网络分析仪，提供精确且稳定的频率转换能力，以保证测试结果的准确性。
　　在国防与航空航天领域，HMC1113LP5E适用于电子战（EW）系统、雷达前端模块以及安全通信设备，其高隔离度和优良线性性能有助于增强抗干扰能力和信号保真度。该器件还可用于卫星通信地面站设备，尤其是在需要宽带操作的上行和下行链路中，支持Q/V频段及相近频段的应用拓展。科研机构也常将其用于毫米波成像、遥感探测和天文观测等前沿研究项目中的接收机设计。
　　由于其DC至4 GHz的宽IF输出能力，HMC1113LP5E特别适合直接变频架构（零中频架构）或低中频架构的设计，避免了传统超外差结构中复杂的多级滤波和放大环节。结合其小尺寸封装，该混频器非常适用于空间受限的便携式或嵌入式射频模块，例如无人机通信载荷或移动侦察平台。总体而言，HMC1113LP5E凭借其宽带、高线性、低功耗和高可靠性的特点，在现代高频电子系统中扮演着关键角色。

HMC1048MS8GE
　　HMC1058MS8GE
　　ADMV1013