型号：HMC-ALH140
　　类型：宽带射频放大器
　　工艺技术：GaAs pHEMT MMIC
　　频率范围：DC 至 40 GHz
　　小信号增益：约 22 dB
　　增益平坦度：±1.5 dB（典型值）
　　噪声系数：约 4.5 dB（典型值）
　　输出三阶交调截点（OIP3）：+36 dBm（典型值）
　　饱和输出功率（Psat）：+22 dBm（典型值）
　　工作电压（Vdd）：+5 V
　　静态电流（Idd）：约 270 mA
　　输入/输出阻抗：50 Ω
　　封装类型：陶瓷表面贴装
　　工作温度范围：-55°C 至 +105°C

HMC-ALH140 具备极高的线性度，这是其最突出的技术优势之一。该器件在高达 40 GHz 的宽频带范围内展现出卓越的输出三阶交调截点（OIP3），典型值可达 +36 dBm，意味着它能够在处理高电平多载波信号时有效抑制互调失真，从而满足现代通信系统对于高信噪比和高谱纯度的要求。这种高线性特性特别适用于点对点微波链路中的发射机前端或接收机后端，能够显著提升系统的整体动态范围和抗干扰能力。
　　其次，HMC-ALH140 采用了先进的 GaAs pHEMT 工艺，不仅提供了优异的高频响应能力，还保证了低噪声性能和高增益稳定性。其典型噪声系数仅为 4.5 dB，在毫米波频段内属于领先水平，使其可作为低噪声放大器（LNA）使用，尤其是在需要兼顾增益与线性的中间增益级应用中表现出色。同时，该芯片的小信号增益典型值为 22 dB，并在整个频率范围内保持 ±1.5 dB 的增益平坦度，避免了因频率变化引起的信号波动，减少了后续均衡电路的设计复杂度。
　　此外，HMC-ALH140 内部集成有稳定的偏置网络和温度补偿电路，使其在不同环境温度下仍能维持一致的性能表现，无需外部复杂的偏置调节电路。这不仅简化了系统设计流程，也提高了长期运行的可靠性。其 +5 V 单电源供电方式兼容大多数数字和模拟系统，静态电流约为 270 mA，功耗适中，适合持续工作的应用场景。
　　该器件采用陶瓷表面贴装封装，具有优良的散热性能和高频电气特性，支持紧凑型高频模块设计。其输入和输出端口均设计为 50 Ω 阻抗匹配，便于与印刷电路板上的传输线直接连接，减少反射和驻波比问题。综合来看，HMC-ALH140 凭借其宽带宽、高线性、低噪声和稳定的偏置设计，成为毫米波通信和高性能射频系统中的关键组件。

HMC-ALH140 被广泛应用于多种高性能射频和微波系统中。首要应用场景是点对点和点对多点的微波无线回传系统，特别是在 E-band（71–76 GHz 和 81–86 GHz）前端的中频放大链路中，作为上下变频器之间的增益级，提供足够的线性增益以驱动混频器或 ADC/DAC。由于其 DC 至 40 GHz 的超宽频率覆盖能力，也可用于宽带测试与测量仪器，如矢量网络分析仪（VNA）和频谱仪中的内部信号调理模块，确保测试信号在整个频段内的幅度一致性。
　　在军用和航空航天领域，HMC-ALH140 常见于电子战（EW）系统、雷达前端接收通道以及卫星通信终端中，用于增强微弱信号的检测能力并维持高保真度传输。其高 OIP3 特性使其非常适合在多通道相控阵雷达系统中作为分布式低噪声放大器使用，能够在密集电磁环境中抵抗强干扰信号的影响。
　　此外，该芯片也被用于高速光纤通信系统的电光调制驱动电路中，作为电信号预放大器，提升调制器的输入信号质量。在 5G 毫米波基站开发平台和原型验证系统中，HMC-ALH140 同样发挥着重要作用，支持研究人员构建高性能的射频前端试验装置。总之，凡是需要在毫米波频段实现高线性、低失真放大的场合，HMC-ALH140 都是一个理想选择。

HMC-ALH140S8G
　　HMC-ALH141