容量：8Gb
　　组织结构：x16
　　电压：1.1V
　　接口类型：LPDDR4
　　工作温度范围：-40°C至+85°C
　　封装类型：FBGA
　　数据速率：3200Mbps
　　行地址位数：A0-A15
　　列地址位数：A0-A9
　　刷新周期：64ms
　　

HMAA8GL7MMR4N-UH 具备多项先进的技术特性，使其在低功耗和高性能之间取得良好的平衡。首先，该芯片采用LPDDR4标准，相较于前代LPDDR3在功耗方面有显著降低，同时数据传输速率得到了大幅提升，最高可达3200Mbps。其次，HMAA8GL7MMR4N-UH 使用1.1V的供电电压，有助于进一步降低功耗，适用于电池供电的移动设备。
　　该DRAM芯片支持多种节能模式，如预充电节能模式、自刷新模式和深度掉电模式，能够根据设备的使用状态灵活调整功耗，延长设备续航时间。此外，它具备高密度存储能力，单颗芯片容量为8Gb，采用x16的数据宽度，便于在有限的PCB空间内实现高容量内存配置。
　　在稳定性和可靠性方面，HMAA8GL7MMR4N-UH 支持自动刷新和自刷新功能，确保数据在不频繁访问时仍能保持完整。其工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于各种工业和消费级应用场景。封装形式为FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array），具有良好的散热性能和电气连接稳定性。

HMAA8GL7MMR4N-UH 广泛应用于需要高性能和低功耗内存的电子设备中。常见的应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备、便携式游戏机以及各类嵌入式系统。由于其出色的能效比，该芯片也适用于对功耗敏感的物联网（IoT）设备和边缘计算设备。此外，该型号还被用于工业控制设备、车载信息娱乐系统以及智能家电等产品中，以提升系统的运行效率和响应速度。
　　在移动通信设备中，HMAA8GL7MMR4N-UH 能够有效支持高分辨率显示、多任务处理和高性能计算需求，提升用户体验。同时，其紧凑的封装形式有助于实现更轻薄的设备设计，满足现代电子产品对空间的严格要求。

HMAA8GL7MMR4N-UH 的替代型号包括HMAA8GH7MMR4N-UH、HMAA8GH7MMR46N-UH、HMAA8GL7MMR46N-UH，以及Micron的LPDDR4型号如MT53D256M16A2B4-046、Samsung的LPDDR4 SDRAM如K3UH5H50AM-AGCL等。