型号：HM85N90
　　类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：85V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：90A @ 25°C
　　脉冲漏极电流（IDM）：360A
　　导通电阻（RDS(on)）：6.5mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻（RDS(on)）：8.0mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压（VGS(th)）：2.0V ~ 4.0V
　　栅极电荷（Qg）：典型值 45nC @ VDS=70V, ID=45A
　　输入电容（Ciss）：典型值 3800pF @ VDS=25V
　　输出电容（Coss）：典型值 650pF
　　反向恢复时间（trr）：典型值 45ns
　　二极管正向压降（VSD）：1.2V @ IS=90A
　　最大功耗（PD）：250W @ TC=25°C
　　工作结温范围（TJ）：-55°C ~ +175°C
　　封装形式：TO-220 / TO-247

HM85N90采用先进的沟槽型垂直结构工艺，显著降低了导通电阻与寄生电感，从而在高频率开关应用中表现出优异的性能。其低RDS(on)特性使得在大电流条件下导通损耗大幅下降，有助于提高电源系统的整体效率，并减少散热器尺寸需求，降低系统成本。该器件的栅极氧化层经过特殊处理，具备更高的耐压能力与长期可靠性，可承受反复的开关应力而不发生退化。同时，其较低的栅极电荷（Qg）意味着驱动电路所需提供的驱动电流更小，有利于简化驱动设计并降低驱动芯片的功耗。
　　该MOSFET具备出色的动态性能，包括快速的开关速度和较小的米勒平台时间，使其非常适合用于同步整流、Buck/Boost变换器及半桥/全桥拓扑结构中。其输出电容（Coss）与反向恢复电荷（Qrr）均经过优化，减少了关断时的能量损耗，尤其在高频PWM控制下表现突出。此外，器件内置的体二极管具有较快的反向恢复特性，能够有效抑制电压尖峰，减少电磁干扰（EMI），提升系统稳定性。
　　在可靠性方面，HM85N90通过了严格的工业级测试标准，包括高温反偏（HTRB）、高压栅极应力（HVGS）及温度循环测试，确保在恶劣环境下的长期稳定运行。其宽泛的工作结温范围（-55°C至+175°C）使其可在极端温度环境中使用，如工业控制、车载设备及户外电源系统。封装采用环保材料，符合RoHS指令要求，支持无铅焊接工艺，适用于现代绿色电子产品制造。

HM85N90广泛应用于各类中高功率电力电子系统中，尤其是在需要高效能、低损耗和高可靠性的场景下表现优异。典型应用包括通信电源、服务器电源、UPS不间断电源、太阳能逆变器、电动工具驱动器、电动车充电模块及工业电机控制器等。由于其具备高电流承载能力和优良的热性能，常被用作主开关管或同步整流管，在DC-DC降压变换器中实现高效的能量转换。此外，该器件也适用于电池管理系统（BMS）中的充放电控制回路，作为双向开关使用，提供快速响应与低功耗运行。
　　在消费类电源产品中，如大功率适配器、LED驱动电源和智能家电的电源模块，HM85N90也能发挥其高效率优势，帮助满足日益严苛的能效标准（如Energy Star、DoE Level VI）。在电机驱动领域，该MOSFET可用于直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动电路中，实现精确的速度与转矩控制。其快速开关能力有助于减少换相过程中的能量损失，提升驱动效率。
　　此外，HM85N90还可用于各类开关电源拓扑结构，如反激式（Flyback）、正激式（Forward）、LLC谐振变换器及移相全桥电路中，作为主功率开关或辅助开关使用。其稳定的电气参数和良好的一致性使其适合批量生产使用，有助于提高产线良率与产品一致性。

IPB090N08N5
　　SPW85N90C3
　　STP90N85F7
　　FQP90N85
　　APT85N90