HM80N04 时间：2025/5/23 9:46:15 阅读：22

HM80N04是一款高性能的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，采用N沟道增强型技术。该芯片主要适用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等应用领域。其设计注重低导通电阻和快速开关性能，能够有效减少功率损耗并提升效率。
　　HM80N04采用了先进的制程工艺，具备出色的热稳定性和可靠性，能够在高频工作条件下保持良好的性能表现。

参数

最大漏源电压：40V
　　连续漏极电流：80A
　　导通电阻：4mΩ
　　栅极电荷：95nC
　　开关速度：超快
　　封装形式：TO-247

特性

1. HM80N04具有极低的导通电阻，仅为4mΩ，从而显著降低了功率损耗，提高了系统效率。
　　2. 芯片内置的快速开关特性使其非常适合高频应用环境，可大幅降低开关损耗。
　　3. 高额定电流能力，最大支持80A的连续漏极电流输出，确保在大电流场景下依然能保持稳定性能。
　　4. 封装采用TO-247标准，散热性能优异，有助于提高整体系统的可靠性。
　　5. 芯片具备较强的抗浪涌能力和鲁棒性，适应恶劣的工作环境。

应用

HM80N04广泛应用于各类电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的主开关管或同步整流管。
　　2. DC-DC转换器中的高端或低端开关。
　　3. 电机驱动电路中的功率级元件。
　　4. 各类负载开关及保护电路。
　　5. 太阳能逆变器和储能系统中的功率转换组件。
　　6. 电动车和工业自动化设备中的大电流控制模块。