容量：256Kbit
　　组织方式：32K x 8
　　电源电压：3.3V
　　访问时间：20ns
　　封装类型：TSOP
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　接口类型：并行接口
　　功耗：低功耗设计，典型电流约10mA（待机模式下更低）

HM6382P302MR具有出色的性能和稳定性，适用于对存储器速度和可靠性有较高要求的应用场景。其主要特性包括高速访问时间（20ns），这使得该芯片能够在高频操作下保持稳定的数据传输速率。此外，该SRAM芯片采用低功耗设计，在待机模式下功耗极低，适合用于对能耗敏感的系统。其3.3V的电源电压符合现代电子设备的低压工作趋势，有助于提高系统的能效比。芯片内置的数据保持电路确保在断电情况下数据不会丢失，提高了系统的可靠性。此外，该芯片的封装形式为TSOP，便于安装和集成到PCB设计中。
　　在功能上，HM6382P302MR提供了标准的并行接口，支持常见的地址和数据总线连接方式，简化了与主控芯片（如微处理器或FPGA）之间的通信。其工作温度范围为工业级（-40°C至+85°C），适用于各种恶劣环境下的应用，如工业控制系统、网络设备、车载电子设备等。

HM6382P302MR SRAM芯片广泛应用于多个领域，包括但不限于工业自动化控制系统、网络通信设备（如路由器、交换机）、嵌入式系统、消费类电子产品（如高端家电、智能仪表）以及汽车电子设备。由于其高速度和低功耗的特性，它也常被用作缓存存储器或临时数据存储单元，在需要频繁读写操作的应用中表现出色。

CY62148EVLL-45ZE3, IS62LV256AL-35TLI, IDT71V416S20PFG, AS7C256A-10TC