容量：256K x 36位
　　电源电压：3.3V ± 10%
　　访问时间：5ns（最大）
　　工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
　　封装形式：165引脚 Thin Small Outline Package（TSOP）
　　输入/输出电平：兼容LVTTL
　　最大工作频率：约166MHz
　　功耗：典型待机电流低至10mA
　　数据保持电压：2V
　　数据保持时间：10ms

HM62G36256B-5 是一款高性能SRAM芯片，具备高速访问能力和较大的存储容量。其主要特性包括高速访问时间5ns，能够在166MHz的频率下稳定运行，满足高速数据处理的需求。芯片支持3.3V电源供电，并具备宽电压容限（±10%），增强了其在不同工作环境下的适应能力。
　　此外，HM62G36256B-5 提供低待机电流，典型值仅为10mA，有助于降低系统功耗，提高能效。该芯片具备工业级温度范围（-40°C 至 +85°C），适用于各种恶劣环境下的工业应用。
　　其165引脚TSOP封装设计不仅保证了良好的电气性能，还便于在高密度PCB布局中使用。此外，该芯片支持LVTTL电平接口，兼容广泛的数字逻辑电路，简化了系统设计和集成过程。芯片内部集成了地址和数据缓冲电路，提高了数据传输的稳定性和可靠性，适用于高速缓存和实时数据处理等应用场景。

HM62G36256B-5 主要用于需要高速存储和大容量缓冲的应用，例如网络交换机、路由器、工业控制设备、嵌入式系统、通信模块以及高速数据采集系统。该芯片也可用于需要快速数据访问的图形处理设备和测量仪器中，作为高速缓存或临时存储单元。由于其低功耗特性和宽温度范围，该芯片广泛应用于需要长时间稳定运行的工业和通信设备中。

Cypress CY62G36256B-5LL
　　ISSI IS62G36256B-5QSL