时间：2025/9/7 7:46:49
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HM628512LRRT7 是一款由HITACHI（现为Renesas）制造的高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片的容量为512Kbit，组织形式为64K x 8位，适用于需要高速数据存取的应用场景。该SRAM芯片采用低功耗设计，工作电压为3.3V，适用于便携式设备及嵌入式系统。其封装形式为TSOP（薄型小外形封装），适用于表面贴装技术，具备良好的可靠性和空间节省特性。
容量：512Kbit
组织结构：64K x 8位
工作电压：3.3V
访问时间：5.4ns（最大）
封装类型：TSOP-II
引脚数量：54
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
封装尺寸：5.0mm x 10.0mm（典型）
功耗：低功耗CMOS工艺
HM628512LRRT7 是一款基于CMOS工艺的高性能异步SRAM芯片，具备高速存取能力，访问时间低至5.4ns，适用于对响应时间要求较高的系统。该芯片采用低功耗设计，在待机模式下电流消耗极低，适合电池供电设备使用。其封装形式TSOP-II具有较小的封装尺寸和良好的散热性能，便于在空间受限的PCB设计中使用。此外，该芯片支持全地址和数据缓冲，确保高速数据传输的稳定性。由于其工业级温度范围（-40°C至+85°C），该SRAM可以在较为严苛的环境中稳定运行，适用于工业控制、网络设备、通信模块及嵌入式系统等应用领域。
HM628512LRRT7 主要应用于需要高速缓存和临时数据存储的电子系统中，如工业控制器、通信设备、路由器、交换机、嵌入式处理器系统以及便携式电子产品。其低功耗特性使其在手持设备和电池供电系统中尤为适用。此外，该SRAM也可用于图像处理模块、传感器数据缓冲区、实时控制系统和网络接口卡等场景。
ISSI IS62WV5128ALLBGLI-55BLI, Cypress CY62158EVLL-55ZSXI, Renesas IDT71V416SAG8B
