时间：2025/9/6 16:18:48
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HM628512BLTT-5UL是一款由Hitachi（现为Renesas）制造的高速CMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为512K位（64K x 8），采用高性能的CMOS工艺制造。该芯片具有低功耗、高速访问时间和高可靠性等特点，适用于各种嵌入式系统和工业控制设备。HM628512BLTT-5UL采用TSOP封装形式，适用于紧凑型电子设备设计。
容量：512Kbit（64K x 8）
电压：2.3V - 3.6V
访问时间：55ns
工作温度：-40°C 至 +85°C
封装：TSOP-II（44引脚）
接口类型：并行异步接口
数据保持电压：1.5V（最小）
最大待机电流：10mA（典型值）
读取电流：180mA（典型值，55ns访问时间）
HM628512BLTT-5UL SRAM芯片采用了先进的CMOS技术，具有出色的低功耗特性，即使在高速运行时也能保持较低的功耗水平。其访问时间为55纳秒，能够满足高速数据存取需求，适用于处理器缓存、网络设备缓存和嵌入式系统的临时数据存储。芯片支持宽电压范围（2.3V至3.6V），提高了在不同应用环境下的兼容性。此外，HM628512BLTT-5UL具备数据保持功能，在系统掉电或进入低功耗模式时，可以通过降低电压至1.5V来保持存储数据不丢失，适用于需要长时间数据保持的场合。
该芯片的工作温度范围为-40°C至+85°C，能够在恶劣的工业环境或车载环境中稳定运行。TSOP封装形式不仅节省空间，还提高了机械稳定性和热稳定性，适合高密度PCB布局。HM628512BLTT-5UL的并行异步接口使其能够与多种微处理器和控制器兼容，简化了系统设计。
该芯片广泛应用于工业控制、通信设备、测试仪器、消费电子产品和汽车电子系统等领域。具体应用包括但不限于嵌入式系统的高速缓存、数据缓冲存储器、网络路由器/交换机中的临时存储、图像处理设备的帧缓存以及各种需要快速数据访问和低功耗的便携式设备。
IS62LV5128AL-55TLI, CY62157EV30LL-55B6XI, IDT71V416S85BHI8A, AS7C35128A-55BCTR
