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HM628512BLP7 发布时间 时间:2025/9/7 14:38:07 查看 阅读:14

HM628512BLP7 是由日本 Hitachi(现为 Renesas)生产的一款高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片属于高速CMOS SRAM类别,具有低功耗和高速访问时间的特点,适用于需要高性能数据存储的工业、通信和嵌入式系统应用。

参数

容量:512Kbit(64K x 8)
  电压:2.4V 至 5.5V
  访问时间:55ns(最大)
  封装:TSOP(Thin Small Outline Package)
  引脚数:52-pin
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  接口类型:并行

特性

HM628512BLP7 是一款高性能的低功耗CMOS SRAM,采用先进的CMOS工艺制造,确保了在宽电压范围(2.4V 至 5.5V)下的稳定运行。该芯片的访问时间仅为55纳秒,能够满足高速数据存取的需求,适用于实时系统和嵌入式设备。
  其52引脚TSOP封装设计,不仅减小了PCB占用面积,还提升了高频操作的稳定性,使其适用于空间受限的高密度设计场景。此外,该器件具备低待机电流特性,在不活跃状态下显著降低功耗,适合对能效有要求的便携式或电池供电系统。
  该芯片的I/O接口支持三态输出,可以有效地隔离总线连接,防止数据冲突。其设计支持异步操作,无需时钟同步即可进行读写操作,简化了系统设计。同时,该SRAM在宽温度范围(-40°C 至 +85°C)内均可稳定工作,适用于工业级环境。

应用

HM628512BLP7 被广泛应用于各类需要高速缓存或临时数据存储的嵌入式系统中,如工业控制设备、通信模块、网络设备、手持终端、测试仪器以及车载电子系统等。由于其高速存取能力和宽温特性,它也常用于需要可靠数据存储和快速访问的工业自动化设备和数据采集系统中。
  在微控制器系统中,该SRAM芯片常作为外部高速缓存使用,提升系统的数据处理能力。此外,在图像处理、音频缓存、缓冲存储器等应用场景中也具有广泛的适用性。

替代型号

CY62148EVLL-45ZSXI, IS61LV25616ALB4-6T, IDT71V016S08YG

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