时间：2025/9/7 2:06:27
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HM628512ALTT5是一款由Hitachi（现为Renesas）生产的高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为512Kbit（64K x 8），采用高速CMOS工艺制造，适用于需要快速数据访问和低功耗设计的应用场景。该芯片采用TSOP封装形式，适用于便携式设备和工业控制等对空间和功耗有要求的系统。
容量：512Kbit (64K x 8)
组织方式：x8
电压范围：2.3V 至 3.6V
访问时间：5.4ns（最大）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：TSOP
封装尺寸：54引脚
读取电流（最大）：180mA
待机电流（最大）：10mA
HM628512ALTT5具备高速访问能力，其访问时间仅为5.4ns，能够满足高速数据缓冲和存储需求。
该SRAM芯片采用低电压设计，支持2.3V至3.6V宽电压范围，适用于多种电源环境。
其低功耗特性在待机模式下电流仅为10mA，适合电池供电设备和对功耗敏感的应用。
工作温度范围覆盖-40°C至+85°C，适应工业级环境温度，确保在恶劣环境下稳定运行。
采用TSOP封装，体积小巧，便于在空间受限的电路板上布局。
该芯片具备高可靠性，广泛用于通信设备、工业控制系统、嵌入式系统及网络设备。
HM628512ALTT5常用于需要高速数据存储和访问的系统中，如路由器和交换机的数据缓冲存储器、嵌入式系统的临时数据存储、工业控制设备中的高速缓存、便携式电子设备的主存或缓冲区、通信设备中的数据处理模块以及测试测量设备中的高速数据采集系统。
IS62WV5128ALL55BHI, CY62157EV30LL, IDT71V433SA, AS6C62256C-SI
