时间：2025/9/7 2:49:15
阅读：9
HM628128BLT-8 是一款由Hitachi（现为Renesas）制造的高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，容量为128K位（16K x 8），采用CMOS技术制造。该芯片具有高速访问时间、低功耗以及宽温度范围等特性，适用于工业控制、通信设备和嵌入式系统等应用。
容量：128K位（16K x 8）
访问时间：8ns
电源电压：5V
封装类型：TSOP
引脚数：54
温度范围：-40°C至+85°C
读取电流：最大100mA（典型值）
待机电流：最大10mA
输入/输出电平：TTL兼容
HM628128BLT-8 SRAM芯片采用了先进的CMOS工艺，使其在保持低功耗的同时实现高速操作。其访问时间仅为8ns，使得该芯片非常适合用于需要快速数据访问的高性能系统中。
此外，该芯片支持TTL电平输入/输出，增强了与多种逻辑电路的兼容性。工作电压为标准5V，简化了电源设计。其封装形式为TSOP（薄型小外形封装），体积小巧，适合高密度PCB布局。
该芯片还具备宽工作温度范围（-40°C至+85°C），使其适用于各种严苛的工业环境，如工厂自动化设备、通信基站、测试仪器等。
HM628128BLT-8广泛应用于需要高速存储器的嵌入式系统中，例如工业控制主板、通信模块、网络设备、测试测量仪器以及消费类电子产品中的缓存或临时数据存储单元。由于其高速访问特性和宽温工作范围，它特别适用于对可靠性要求较高的工业和通信领域。
IS62LV128AL-8TLI, CY62128EVLL-85ZXC, IDT71V128L8TPG, A621288TS90
