HM6264BLSP-10L是一款由HITACHI(现为Renesas)生产的64K位(8K x 8)静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片广泛用于需要高速数据存取的场合,例如嵌入式系统、工业控制设备和通信设备。HM6264BLSP-10L采用CMOS技术制造,具有低功耗、高速度和高可靠性等优点。该器件采用28引脚SSOP封装,适用于表面贴装工艺,适合在空间受限的设计中使用。
容量:8K x 8 = 64K位
电源电压:5V
访问时间:10ns
封装类型:28引脚SSOP
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
数据保持电压:最小2V
最大工作电流:约150mA(典型值)
待机电流:最大10mA
输入/输出电平:TTL兼容
HM6264BLSP-10L采用先进的CMOS工艺制造,具有出色的低功耗性能。即使在高速运行条件下,其功耗也远低于传统的双极型SRAM芯片。该芯片的访问时间仅为10ns,使其适用于对速度要求较高的系统设计。此外,该器件在待机模式下的电流消耗极低,有助于延长电池供电设备的使用寿命。
HM6264BLSP-10L具有宽广的工作温度范围(-40°C至+85°C),适合在各种工业环境和恶劣条件下使用。其TTL兼容的输入/输出电平使得它可以轻松地与多种逻辑电路和微处理器接口连接,而无需额外的电平转换器。
该SRAM芯片内置数据保持电路,可以在电源电压降至2V以下时保持数据不丢失,为系统提供了在断电情况下保存关键数据的能力。其封装形式为28引脚SSOP,体积小巧,适合高密度PCB布局。
HM6264BLSP-10L被广泛应用于需要高速、低功耗和数据保持能力的嵌入式系统,如工业控制器、测量仪器、通信设备、数据采集系统以及需要临时数据存储的智能传感器。由于其高速访问时间和TTL兼容性,该芯片也常用于与微处理器或微控制器配合使用的外部数据存储场景。此外,由于其宽温特性和低功耗设计,该芯片也非常适合用于电池供电设备或户外环境中运行的设备。
IS62C256AL-10L, CY62148E, IDT71V416SA, A621080