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HM6264BLFP-10T 发布时间 时间:2025/9/6 22:56:02 查看 阅读:28

HM6264BLFP-10T是一款由HITACHI(现为Renesas)生产的64K位(8K x 8)静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该芯片采用高性能CMOS技术制造,具有低功耗和高速访问特性,适用于需要高速数据存取的工业和商业应用。其封装形式为TSOP(Thin Small Outline Package),适用于空间受限的电路设计。该芯片的访问时间(Access Time)为10ns,适用于高速缓存、数据缓冲和嵌入式系统中的存储需求。

参数

容量:8K x 8位
  组织方式:8KB SRAM
  访问时间:10ns
  电源电压:5V
  工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
  封装类型:TSOP
  引脚数:28
  最大工作频率:约50MHz(基于访问时间计算)
  功耗:典型待机电流低至10mA

特性

HM6264BLFP-10T具备高速访问能力,访问时间仅为10ns,使其适用于对响应时间要求较高的系统。其CMOS工艺不仅提高了能效,还降低了芯片在运行过程中的热量产生,从而提高了整体稳定性。此外,该芯片具有宽广的工作温度范围,适合工业环境下的应用。TSOP封装形式使其在PCB布局中更加紧凑,节省了空间,适用于高密度电子设备。芯片支持异步操作模式,无需时钟信号控制,简化了系统设计。同时,其低待机功耗特性使其在低功耗应用场景中表现出色。
  此外,HM6264BLFP-10T具有良好的数据保持能力,在掉电状态下可通过外部电池维持数据存储,适用于需要持久保存临时数据的应用场景。其接口兼容性较强,能够与多种微控制器和嵌入式系统平台配合使用,增强了设计的灵活性。

应用

该芯片广泛应用于工业控制系统、嵌入式系统、通信设备、测试仪器、消费类电子产品中的缓存存储单元。由于其高速和低功耗特性,它也常用于需要频繁读写数据的场合,如图像缓冲、临时数据存储和高速缓存。此外,该芯片适用于智能卡终端、数据采集设备以及需要高可靠性和高性能存储的电子系统。

替代型号

CY62148EDE-45ZSXC、IS62WV5128BLL-55HIR、AS6C6264-10TIN

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