HM6264B是一款由HITACHI(现为Renesas)生产的高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,容量为8K x 8位,即总容量为64Kbit。该芯片广泛应用于需要高速数据访问的工业控制、通信设备、嵌入式系统以及各种计算机外围设备中。HM6264B采用CMOS工艺制造,具备低功耗、高速度和高可靠性等特点,工作温度范围宽,适用于工业级环境。
容量:64Kbit(8K x 8位)
电压供应:5V ± 10%
访问时间:55ns、70ns、85ns(根据后缀不同)
封装类型:28引脚DIP、SOJ、TSOP等
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
输入/输出电平:TTL兼容
封装尺寸:根据封装形式不同而异
功耗:典型值为150mA(工作模式),待机模式下小于10mA
HM6264B SRAM芯片具有出色的性能和稳定性,其核心特性包括高速访问能力与低功耗设计。其访问时间有多种选项(55ns、70ns、85ns),可满足不同应用场景对速度的需求。芯片采用CMOS工艺,不仅降低了功耗,还提升了抗干扰能力,使得芯片在复杂电磁环境中也能稳定工作。
此外,HM6264B具备宽泛的工作温度范围,能够在-40°C至+85°C之间正常运行,适用于工业控制、自动化设备等对环境适应性要求较高的场合。其TTL兼容的输入/输出电平设计简化了与各种微处理器和控制器的接口连接。
该芯片还具备良好的数据保持能力,在待机模式下功耗极低,适合需要长时间运行并兼顾节能的应用场景。多种封装形式(如28引脚DIP、SOJ、TSOP)使其能够灵活适应不同的PCB布局和空间限制,广泛用于通信设备、测试仪器、数据采集系统以及嵌入式控制模块。
HM6264B因其高速和低功耗特性,被广泛应用于多个技术领域。在工业自动化中,它常用于PLC(可编程逻辑控制器)和现场总线通信模块的高速缓存;在通信设备中,该芯片可用于路由器、交换机和无线基站的临时数据存储;在嵌入式系统中,它作为外部SRAM扩展,为微控制器提供额外的数据缓存空间。
此外,HM6264B也适用于测试测量仪器、医疗设备、智能电表以及工业传感器等需要快速读写和高可靠性的场合。其TTL兼容性和多种封装形式也使其成为老式计算机扩展卡、游戏机外设等经典电子设备的常用存储芯片。
IS62C64AL, CY6264B, IDT7164S, AS6C6264