容量：8K x 4位（32K位）
　　电源电压：5V
　　访问时间：最大36ns
　　封装形式：44引脚塑料TSOP
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　封装尺寸：标准TSOP封装尺寸
　　输入/输出电平：TTL兼容

HM62324BF-C36 是一款高速静态RAM，采用CMOS工艺制造，提供快速的读写操作和较低的功耗表现。该芯片的访问时间最大为36ns，能够满足对数据存取速度要求较高的系统设计需求。其电源电压为5V，符合TTL电平标准，方便与多种数字电路接口兼容。
　　该SRAM芯片具有8K x 4位的存储容量，总共提供32K位的存储空间，适用于缓存、临时数据存储等应用场景。其封装形式为44引脚TSOP（薄型小外形封装），便于在空间受限的电路板上安装使用。TSOP封装还具有良好的散热性能和电气特性，适合在高密度PCB设计中使用。
　　HM62324BF-C36 的工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级标准，适用于各种恶劣环境下的电子设备。此外，该芯片具备良好的抗干扰能力和稳定性，适合在通信设备、工业控制、汽车电子等要求高可靠性的系统中使用。

HM62324BF-C36 广泛应用于需要高速数据存储和快速访问的电子系统中。其主要应用场景包括工业控制系统、通信设备、网络路由器、打印机、扫描仪等计算机外设、嵌入式系统以及便携式电子设备等。由于其高速性和低功耗特性，特别适合用作缓存存储器或临时数据存储单元。此外，其TSOP封装形式也使其适用于空间受限的设计，如手持设备和小型电子模块。

HM62324BLP-36, CY62324VLL-35SC, IDT71324S36PF, AS7C324B36TC